[發(fā)明專利]阻焊曝光底片及線路板制作工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110083726.2 | 申請日: | 2011-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN102162991A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 冷科;劉海龍;程新;郭長峰 | 申請(專利權(quán))人: | 深南電路有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/14 | 分類號: | G03F1/14;H05K3/28 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 彭愿潔;李文紅 |
| 地址: | 518000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 底片 線路板 制作 工藝 | ||
1.一種阻焊曝光底片,用于提高防護層與阻焊層的結(jié)合能力,包括阻焊曝光底片本體(2),其特征在于,該阻焊曝光底片本體(2)上間隔設(shè)置有多個擋光點(201)。
2.如權(quán)利要求1所述的阻焊曝光底片,其特征在于,多個所述擋光點(201)矩形陣列的分布在所述阻焊曝光底片本體(2)上。
3.如權(quán)利要求2所述的阻焊曝光底片,其特征在于,每行或每列的相鄰兩所述擋光點(201)的間距為1~3mm。
4.如權(quán)利要求1所述的阻焊曝光底片,其特征在于,多個所述擋光點(201)環(huán)形陣列的分布在所述阻焊曝光底片本體(2)上。
5.如權(quán)利要求1-4任一項所述的阻焊曝光底片,其特征在于,所述擋光點(201)為圓形,且直徑為0.2~0.5mm。
6.如權(quán)利要求1-4任一項所述的阻焊曝光底片,其特征在于,所述擋光點(201)為三角形、菱形或異形。
7.一種線路板制作工藝,包括步驟:1)線路板基體制作;2)在線路板基體表面絲印阻焊層;3)預(yù)烘線路板;4)對阻焊層曝光和顯影;5)在線路板的阻焊層表面噴涂防護層,其特征在于,所述步驟4)具體為采用如權(quán)利要求1-6任一項所述阻焊曝光底片對所述阻焊層曝光和顯影。
8.如權(quán)利要求7所述的線路板制作工藝,其特征在于,所述步驟3)具體為對線路板采用60~80攝氏度的溫度烘30~50分鐘。
9.如權(quán)利要求8所述的線路板制作工藝,其特征在于,所述步驟4)的顯影時間為100~140秒。
10.如權(quán)利要求9所述的線路板制作工藝,其特征在于,所述步驟4)的顯影時間為120秒。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





