[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201110083176.4
• 申請日: 2011-04-02
• 公開（公告）號: CN102214640A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 詹歸娣;李東興;奧古斯托馬奎斯;李文昶
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L23/64
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 于淼;張一軍

1.一種半導體裝置，包括：

襯底；

電感布線樣式，位于該襯底上方，其中該電感布線樣式形成于電感形成區域；

多個屏蔽樣式，位于該電感布線樣式與該襯底之間且位于該電感形成區域內；以及

至少一個第一定義氧化物樣式，位于該襯底內或者位于該電感布線樣式與該襯底之間。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置更包括位于該電感布線樣式之下的淺溝槽隔離樣式。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，該淺溝槽隔離樣式環繞該定義氧化物樣式。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，該多個屏蔽樣式位于該淺溝槽隔離樣式上或該淺溝槽隔離樣式上方。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該多個屏蔽樣式不與該定義氧化物樣式重疊。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該定義氧化物樣式中不摻入雜質。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該定義氧化物樣式中摻入N型雜質或P型雜質。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該定義氧化物樣式上不形成硅化物。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該襯底與該電感布線樣式之間具有介電層。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該定義氧化物樣式位于該襯底內或該電感布線樣式與該襯底之間且位于該電感形成區域之內，以及其中外圍區域接近于該電感形成區域。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，從該電感形成區域的邊沿起算，該外圍區域的寬度范圍在0到50微米之間。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置更包括至少一個第二定義氧化物樣式，位于該襯底內或該電感布線樣式與該襯底之間且位于該外圍區域之內。

13.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，在距離該外圍區域小于20微米處形成多個有源裝置。

14.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該多個屏蔽樣式是作為樣式接地屏蔽。

15.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該多個屏蔽樣式是多個導體屏蔽樣式。

16.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該多個屏蔽樣式是多個多晶硅屏蔽樣式或多個金屬屏蔽樣式。

17.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該第一定義氧化物樣式接近于有源裝置，該有源裝置位于該半導體裝置附近。

18.根據權利要求17所述的半導體裝置，其特征在于，該多個屏蔽樣式與該有源裝置的柵極由相同的層級構成。