[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201110083176.4
• 申請日: 2011-04-02
• 公開（公告）號: CN102214640A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 詹歸娣;李東興;奧古斯托馬奎斯;李文昶
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L23/64
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 于淼;張一軍

技術領域

本發明有關于半導體裝置，且特別有關于具有定義氧化物(Oxide?Define，以下簡稱為OD)樣式的半導體裝置。

背景技術

無線通信市場的快速增長使得業界迫切需求尺寸更小、成本更低、且具有較高功能性與操作性的手持設備。電路設計的主要趨勢是將盡可能多的電路器件整合為集成電路(integrated?circuit)，從而降低每晶圓的成本。

無源裝置(例如半導體晶圓中的電感)廣泛應用于基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)的射頻(Radio?Frequency，以下簡稱為RF)電路，例如低噪聲放大器(low-noise?amplifier)、壓控振蕩器(voltage-controlled?oscillator)以及功率放大器(power?amplifier)。電感是以磁場(magnetic?field)形式存儲能量的無源電子器件，且電感總是阻礙流經其中的電流量的任何改變。電感的最重要的特性是品質因數(quality?factor)Q，品質因數Q與RF或其它電路與系統的性能相關。集成電路的品質因數Q的提高受到襯底自身的寄生(parasitic)損失的限制。上述寄生損失包括通過電感自身的金屬層的高電阻與襯底損失。因此，為達到較高的品質因數，應當將電感的電阻與襯底損失保持在最小值。

研究發現，傳統半導體芯片中，虛擬填充物(dummy?feature)的存在對半導體芯片的電感的運作造成不利影響。一般來說，為阻止電感性能的下降，依據設計規則，虛擬填充物(例如，虛金屬樣式)禁止配置在電感形成區域內。據觀察，非期望的壞趨勢(或性能惡化)發生在基于65納米(nm)技術點或低于65nm技術的接近于電感形成區域的有源裝置(例如金屬氧化物半導體晶體管(MOS?transistor))。因此，業界需要一種改進的方法或改進的半導體裝置設計，以消除接近電感形成區域的有源裝置帶來的負面效應。

發明內容

有鑒于此，本發明特提供以下技術方案：

本發明的一種實施方式中提供一種半導體裝置，包括襯底、電感布線樣式、多個屏蔽樣式以及至少一個第一定義氧化物樣式。電感布線樣式位于襯底上方，其中電感布線樣式形成于電感形成區域。多個屏蔽樣式位于電感布線樣式與襯底之間且位于電感形成區域內。至少一個第一定義氧化物樣式位于襯底內或者電感布線樣式與襯底之間。

通過上述布局或架構，半導體裝置可消除接近電感形成區域的有源裝置帶來的負面效應。

附圖說明

圖1是根據本發明的一種實施方式的范例半導體裝置的俯視圖。

圖2是圖1沿著直線I-I’的剖面圖。

圖3是根據本發明的另一種實施方式的范例半導體裝置的俯視圖。

圖4是圖3沿著直線I-I’的剖面圖。

圖5是根據本發明的又一種實施方式的范例半導體裝置的俯視圖。

圖6是根據本發明的又一種實施方式的范例半導體裝置的俯視圖。

圖7是圖6沿著直線II-II’的剖面圖。

圖8是根據本發明的又一種實施方式的范例半導體裝置的剖面圖。

具體實施方式

下文將結合附圖，對本發明的具體實施方式做出詳細描述。本領域的技術人員可依此進行實施，且在不脫離本發明的思想的前提下，可對下文描述的實施方式的結構、邏輯與電路進行改變而得到其它的實施方式。因此，以下描述的實施方式并非本發明的限制，本發明的范圍應以權利要求書為準。

圖1是根據本發明的一種實施方式的范例半導體裝置1的俯視圖。半導體裝置1包括襯底100、襯底100上的電感布線樣式10以及位于襯底100內且位于電感布線樣式10下方的至少一個OD虛擬填充物(Oxide?Define?dummyfeature)102。在一些實施方式或應用中，OD虛擬填充物被稱為擴散虛擬填充物(diffusion?dummy)。電感布線樣式10可具有多圈繞組(multi-turn?winding)。在其它實施方式中，電感布線樣式10可以是變壓器(transformer)的一部分。圖2是圖1沿著直線I-I’的剖面圖。應可理解，盡管本實施方式的電感布線樣式10以八角形(octagonal?shape)為例進行描述，其也可以是其它合適的形狀，舉例來說，螺旋形(spiral?shape)、環形(circular?shape)、矩形(rectangular?shape)等。電感布線的形狀或樣式不作為本發明的限制。此外，本發明也可用于單端(single-ended?type)電感、差分(differential)電感、堆棧式(stacked)電感等。