[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201110082959.0
• 申請日: 2011-03-31
• 公開（公告）號: CN102208417A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 舛岡富士雄;中村廣記
• 申請（專利權）人: 日本優尼山帝斯電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭小軍;馮志云

1.一種半導體器件，具備以行列狀配列在襯底上的2個反向器及2個選擇晶體管，其特征在于，具備：

第一行第二列的第1反向器、

第二行第一列的第2反向器、

第一行第一列的選擇晶體管、以及

第二行第二列的選擇晶體管；

該第一行第二列的第1反向器，具有：

第1個第1導電型半導體、極性與該第1個第1導電型半導體不同的第1個第2導電型半導體、及配置在所述第1個第1導電型半導體與所述第1個第2導電型半導體之間的第1絕緣物成為一體而相對于襯底垂直地延伸的1個第1柱；

配置在所述第1個第1導電型半導體之上，且其極性與所述第1個第1導電型半導體不同的第1個第2導電型高濃度半導體；

配置在所述第1個第1導電型半導體之下，且其極性與所述第1個第1導電型半導體不同的第2個第2導電型高濃度半導體；

配置在所述第1個第2導電型半導體之上，且其極性與所述第1個第2導電型半導體不同的第1個第1導電型高濃度半導體；

配置在所述第1個第2導電型半導體之下，且其極性與所述第1個第2導電型半導體不同的第2個第1導電型高濃度半導體；

包圍所述第1柱的第1柵極絕緣物；及

包圍所述第1柵極絕緣物的第1柵極導電體；

該第二行第一列的第2反向器，具有：

第2個第1導電型半導體、極性與該第2個第1導電型半導體不同的第2個第2導電型半導體、及配置在所述第2個第1導電型半導體與所述第2個第2導電型半導體之間的第2絕緣物成為一體而相對于襯底垂直地延伸的1個第2柱；

配置在所述第2個第1導電型半導體之上，且其極性與所述第2個第1導電型半導體不同的第3個第2導電型高濃度半導體；

配置在所述第2個第1導電型半導體之下，且其極性與所述第2個第1導電型半導體不同的第4個第2導電型高濃度半導體；

配置在所述第2個第2導電型半導體之上，且其極性與所述第2個第2導電型半導體不同的第3個第1導電型高濃度半導體；

配置在所述第2個第2導電型半導體之下，且其極性與所述第2個第2導電型半導體不同的第4個第1導電型高濃度半導體；

包圍所述第2柱的第2柵極絕緣物；及

包圍所述第2柵極絕緣物的第2柵極導電體；

該第一行第一列的選擇晶體管，具有：

由第3個第1導電型半導體所構成的第3柱；

配置在所述第3個第1導電型半導體之上，且其極性與所述第3個第1導電型半導體不同的第5個第2導電型高濃度半導體；

配置在所述第3個第1導電型半導體之下，且其極性與所述第3個第1導電型半導體不同的第6個第2導電型高濃度半導體；

包圍所述第3柱的第3柵極絕緣物；及

包圍所述第3柵極絕緣物的第3柵極導電體；

該第二行第二列的選擇晶體管，具有：

由第4個第1導電型半導體所構成的第4柱；

配置在所述第4個第1導電型半導體之上，且其極性與所述第4個第1導電型半導體不同的第7個第2導電型高濃度半導體；

配置在所述第4個第1導電型半導體之下，且其極性與所述第4個第1導電型半導體不同的第8個第2導電型高濃度半導體；

包圍所述第4柱的第4柵極絕緣物；及

包圍所述第4柵極絕緣物的第4柵極導電體。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，第2個第1導電型高濃度半導體、第2個第2導電型高濃度半導體與第8個第2導電型高濃度半導體相連接；

第8個第2導電型高濃度半導體與第2柵極導電體相連接；

第4個第1導電型高濃度半導體、第4個第2導電型高濃度半導體與第6個第2導電型高濃度半導體相連接；

第6個第2導電型高濃度半導體與第1柵極導電體相連接。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，半導體為硅。

4.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，第1導電型為p型，第2導電型為n型。