[發明專利]一種高溫超導涂層導體緩沖層的制備方法

有效

• 申請號: 201110080237.1
• 申請日: 2011-03-31
• 公開（公告）號: CN102241526A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 申雅;盧亞鋒;李成山;于澤銘;金利華;王耀;王鵬飛;張國防
• 申請（專利權）人: 西北有色金屬研究院
• 主分類號: C04B41/50
• 分類號: C04B41/50
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 譚文琰

1.一種高溫超導涂層導體緩沖層的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)將乙酰丙酮釹或乙酰丙酮釤與乙酰丙酮鋯按1∶1的摩爾比混合，然后向混合物中加入有機溶劑配制成陽離子摩爾濃度為0.1mol/L～1.0mol/L的前驅溶液；所述有機溶劑為丙酸或丙酸與甲醇的混合溶劑，混合溶劑中丙酸與甲醇的體積比為1∶0.01～1；

(2)將步驟(1)中所述前驅溶液旋涂于經超聲清洗后的基片上，然后在不高于200℃的條件下烘干；

(3)將步驟(2)中烘干后的基片置于管式爐中，在流動的氬氫混合氣氛下，以5℃/min～30℃/min的升溫速率升溫至300℃～500℃后保溫0.5h～1h，然后繼續以5℃/min～30℃/min的升溫速率升溫至900℃～1000℃后保溫1h～3h，最后以不低于4℃/min的降溫速率冷卻至室溫，得到Nd₂Zr₂O₇緩沖層或Sm₂Zr₂O₇緩沖層。

2.根據權利要求1所述的一種高溫超導涂層導體緩沖層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述基片為YSZ單晶基片、SrTiO₃單晶基片、NdGaO₃單晶基片、LaAlO₃單晶基片或Ni-W合金基片，其中，所述YSZ單晶基片是指釔穩定的氧化鋯單晶基片。

3.根據權利要求1所述的一種高溫超導涂層導體緩沖層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述旋涂的過程為：將前驅溶液滴加在基片上，用勻膠機以2500轉/分鐘的旋轉速率旋涂30s，使前驅溶液均勻涂覆在基片上，其中每1cm²基片滴加50μL前驅溶液。

4.根據權利要求1所述的一種高溫超導涂層導體緩沖層的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述氬氫混合氣氛中氫氣的質量百分數為4％，余量為氬氣。

5.根據權利要求1所述的一種高溫超導涂層導體緩沖層的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述氬氫混合氣氛的氣體流速為48L/h。