[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201110079770.6
• 申請日: 2011-03-25
• 公開（公告）號: CN102201507A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 秋圣鎬;金省均;范熙榮;林祐湜
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

相關申請的交叉引用

本申請要求在韓國知識產權局于2010年3月25日提交的韓國專利申請No.10-2010-0026930的優先權，其全部其內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明涉及發光器件、發光器件封裝以及照明系統。

背景技術

發光二極管(LED)是使用化合物半導體的特性將電信號轉換為光的器件。LED現在被應用于諸如家用電器、遙控器、電子板、顯示器、各種自動裝置等等的裝置并且它們的應用范圍逐漸擴大。

通常，以表面安裝器件型制造小型化的LED使得它能夠直接地安裝在印制電路板(PCB)上。因此，也以表面安裝器件開發用作顯示裝置的LED燈。這樣的表面安裝器件可以替代傳統的燈并且用作照明顯示、字符顯示、圖像顯示等等。

隨著LED的應用范圍擴大，日常使用中的燈和建筑物信號的燈要求的亮度增加。因此，重要的是，增加LED的發光效率。

發明內容

因此，鑒于上述問題已經提出本實施例，并且本實施例提供發光器件、發光器件封裝以及照明系統。

根據本實施例的一個方面，通過提供發光器件能夠完成上述和其它的實施例，該發光器件包括：襯底；在襯底上的發光結構，該發光結構包括在襯底上的第一半導體層、有源層以及第二半導體層；在第二半導體層上的透光電極層；以及在透光電極層上的第一反射層，其中所述第一反射層包括具有第一折射率的第一層和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二層。

而且，第一層可以具有比第二層低的折射率。

而且，第一層可以具有1.4至1.6的折射率。

而且，第一層和第二層中的至少一個可以包括SiO₂、Al₂O₃以及TiO₂中的至少一個。

而且，第一層和第二層可以被重復地交替層壓。

而且，第一層和第二層可以具有2□至10um的厚度。

而且，所述器件可以進一步包括：在第一半導體層的部分暴露的頂部上的第一電極焊盤；和在第二半導體層上的第二電極焊盤，其中所述第一反射層處于透光電極層的頂部和第一半導體層的暴露的頂部上。

而且，第一反射層可以沿著有源層和第二半導體層的側面從透光電極層的頂部延伸到第一半導體層的頂部。

而且，所述器件可以進一步包括：在第二半導體層上的第二反射層，使得第二反射層至少部分地垂直地重疊第二電極焊盤，其中所述第二反射層包括具有第三折射率的第三層和具有不同于第三折射率的第四折射率的第四層。

而且，所述器件可以進一步包括：開口，該開口被設置在透光電極層的區域中，其中所述第二電極焊盤位于開口上并且第二反射層接觸第二電極焊盤和第二半導體層。

而且，第三層可以具有比第四層低的折射率。

而且，第三層可以具有1.4至1.6的折射率。

而且，第三層和第四層中的至少一個可以包括SiO₂、Al₂O₃以及TiO₂中的至少一個。

而且，第三層和第四層可以重復交替層壓。

而且，第三層和第四層可以具有2□至10um的厚度。

而且，第二反射層的寬度可以比第二電極焊盤的寬度大。

而且，所述器件可以進一步包括：在襯底上的緩沖層。

而且，所述器件可以進一步包括：在第一反射層的外表面上的沖擊緩沖層。

附圖說明

本實施例的以上和其它特征以及其它的優點涉及一種發光器件，結合附圖根據以下詳細描述將會更加清楚地理解發光器件，其中：

圖1A是示出根據實施例的發光器件的橫截面的截面圖；

圖1B是示出根據實施例的發光器件的橫截面的截面圖；

圖1C是示出根據實施例的發光器件的橫截面的截面圖；

圖1D是示出根據實施例的發光器件的橫截面的截面圖；

圖2A是示出根據實施例的發光器件的橫截面的截面圖；

圖2B是示出根據實施例的發光器件的橫截面的截面圖；

圖2C是示出根據實施例的發光器件的橫截面的截面圖；

圖3是示出圖1A中所示的發光器件的A區域的部分放大圖；

圖4是示出其中發光器件被倒裝芯片結合到封裝基板的狀態的視圖；

圖5A是示出包括根據實施例的發光器件的發光器件封裝的透視圖；

圖5B是示出包括根據實施例的發光器件的發光器件封裝的截面圖；