[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201110079770.6
• 申請日: 2011-03-25
• 公開（公告）號: CN102201507A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 秋圣鎬;金省均;范熙榮;林祐湜
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.一種發光器件，包括：

襯底；

在所述襯底上的發光結構，所述發光結構包括第一半導體層、有源層以及第二半導體層；

在所述第二半導體層上的透光電極層；以及

在所述透光電極層上的第一反射層，

其中所述第一反射層包括具有第一折射率的第一層和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二層。

2.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一層具有1.4至1.6的折射率。

3.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一層和第二層中的至少一個包括SiO₂、Al₂O₃以及TiO₂中的至少一個。

4.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一層和第二層重復交替層壓。

5.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一層和第二層具有2□至10um的厚度。

6.根據權利要求1所述的器件，進一步包括：

在所述第一半導體層的部分地暴露的頂部上的第一電極焊盤；和

在所述第二半導體層上的第二電極焊盤，

其中所述第一反射層位于所述透光電極層的頂部和所述第一半導體層的暴露的頂部上。

7.根據權利要求6所述的器件，其中所述第一反射層沿著所述有源層和所述第二半導體層的側面從所述透光電極層的頂部延伸到所述第一半導體層的頂部。

8.根據權利要求6所述的器件，進一步包括：

第二反射層，

其中所述第二反射層至少部分地垂直地重疊所述第二電極焊盤并且包括具有第三折射率的第三層和具有不同于所述第三折射率的第四折射率的第四層。

9.根據權利要求8所述的器件，進一步包括：

開口，所述開口被設置在所述透光電極層的區域中，

其中所述第二電極焊盤處于所述開口上，并且所述第二反射層接觸所述第二電極焊盤和所述第二半導體層。

10.根據權利要求8所述的器件，其中所述第二反射層的寬度比所述第二電極焊盤的寬度大。