[發(fā)明專利]有機發(fā)光裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110079108.0 | 申請日： | 2011-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN102222772A | 公開（公告）日： | 2011-10-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金武謙;樸昶模 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 陳萬青;王珍仙 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有機 發(fā)光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發(fā)光裝置，包括：
陽極；
所述陽極上的包括氧化物半導體的空穴充入層；
形成在所述空穴充入層上的至少一個有機層；和
形成在所述有機層上的陰極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述空穴充入層為包括In、Ga和Zn的氧化物半導體，或包括In、Zn和Hf的氧化物半導體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中在包括In、Ga和Zn的所述氧化物半導體中，所述In、Ga和Zn的含量分別為30至50原子％，30至50原子％和10至35原子％。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中在包括In、Zn和Hf的所述氧化物半導體中，所述In、Zn和Hf的含量分別為35至55原子％，35至55原子％和5至15原子％。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中所述氧化物半導體的帶隙能為3至3.5eV，且所述氧化物半導體的價帶能在所述陽極的功函和接觸所述空穴充入層的所述有機層的最高占有分子軌道能之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光裝置，其中所述氧化物半導體的能態(tài)包括帶尾態(tài)能級和深態(tài)能級。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機層包括發(fā)光層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光裝置，其中所述空穴充入層和所述發(fā)光層共享發(fā)光區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光裝置發(fā)出400nm至700nm的光。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機層進一步包括在所述空穴充入層和所述發(fā)光層之間的選自由空穴注入層和空穴傳輸層組成的組中的至少一層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的有機發(fā)光裝置，進一步包括在所述發(fā)光層和所述陰極之間的選自由電子傳輸層和電子注入層組成的組中的至少一層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述陽極包括氧化銦錫或氧化銦鋅。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光裝置發(fā)出藍光、紅光或綠光。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，進一步包括：
基板；
薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括形成在所述基板上的柵極、形成在所述柵極和所述基板上的柵絕緣層、面向所述柵極并形成在所述柵絕緣層上的有源層，以及與所述有源層電連接的源極和漏極；和
絕緣層，
其中所述陽極穿過所述絕緣層接觸所述源極和所述漏極。
15.一種制造有機發(fā)光裝置的方法，所述方法包括：
形成陽極；
在所述陽極上形成包括氧化物半導體的空穴充入層；
在所述空穴充入層上形成至少一個有機層；和
在所述有機層上形成陰極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述空穴充入層為包括In、Ga和Zn的氧化物半導體，或包括In、Zn和Hf的氧化物半導體。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在包括In、Ga和Zn的所述氧化物半導體中，所述In、Ga和Zn的含量分別為30至50原子％，30至50原子％和10至35原子％。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在包括In、Zn和Hf的所述氧化物半導體中，所述In、Zn和Hf的含量分別為35至55原子％，35至55原子％和5至15原子％。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述氧化物半導體的帶隙能為3至3.5eV，且所述氧化物半導體的價帶能在所述陽極的功函和接觸所述空穴充入層的所述有機層的最高占有分子軌道能之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
