[發明專利]有機發光裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110079108.0
• 申請日: 2011-03-25
• 公開（公告）號: CN102222772A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 金武謙;樸昶模
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

相關申請的交叉引用

本申請要求2010年4月13日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請10-2010-0033896的優先權和權益，其公開通過整體引用合并于此。

技術領域

本發明涉及一種有機發光裝置，更具體地，涉及具有以堆疊結構制成并包括氧化物半導體的像素部分的有機發光裝置，以及所述有機發光裝置的制造方法。

背景技術

有機發光裝置包括在向其施加電壓時發光的材料。與液晶顯示器(LCD)相比，有機發光裝置具有如高亮度、寬視角和高響應速度等優點。有機發光裝置也不需要背光，因此可制成很薄。

有機發光裝置中包括發光層(EML)的有機層的堆疊結構對改善有機發光裝置的發光效率很重要。在有機發光裝置的堆疊結構中，堆疊了p型和n型有機半導體層，以向EML提供包括電子和空穴的平衡的電荷。

有機發光裝置的堆疊結構可包括從陽極注入空穴并將所注入的空穴傳輸到EML的空穴傳輸層(HTL)、從陰極注入電子并將所注入的電子傳輸到EML的電子傳輸層(ETL)，和通過空穴和電子的再結合來發光的EML。有機發光裝置可進一步包括從陽極注入空穴的空穴注入層(HIL)和從陰極注入電子的電子注入層(EIL)。有機層的這種堆疊結構提高了發光效率并降低了驅動電壓。

然而，隨著對大面積及高亮度有機發光裝置需求的增加，導致了諸如有機半導體材料的浪費功耗及壽命降低等問題。

發明內容

本發明各實施方式提供了一種因電流效率改善而能夠改善壽命和發光特性的有機發光裝置和制造所述有機發光裝置的方法。

根據本發明的一個方面，提供了一種有機發光裝置，包括：陽極；所述陽極上的包括氧化物半導體的空穴充入層(hole?charging?layer，HCL)；形成在所述HCL上的至少一個有機層；和形成在所述有機層上的陰極。

所述HCL可為包括銦(In)、鎵(Ga)和鋅(Zn)的氧化物半導體，或包括In、Zn和鉿(Hf)的氧化物半導體。

在包括In、Ga和Zn的所述氧化物半導體中，所述In、Ga和Zn的含量可分別在約30至約50原子％，約30至約50原子％，和約10至約35原子％的范圍內。

在包括In、Zn和Hf的所述氧化物半導體中，所述In、Zn和Hf的含量可分別在約35至約55原子％，約35至約55原子％，和約5至約15原子％的范圍內。

所述有機層可包括EML。所述空穴充入層與所述EML共享發光區域。

所述有機層可進一步包括在所述空穴充入層和所述EML之間的選自由HIL和HTL組成的組中的至少一層。

所述有機發光裝置可進一步包括在所述EML和所述陰極之間的選自由ETL和EIL組成的組中的至少一層。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述本發明的示例性實施方式，本發明各實施方式的以上和其它特征和優點將變得更為明顯，其中：

圖1是說明根據一個實施方式的有機發光裝置堆疊結構的截面圖；

圖2是說明根據另一個實施方式的有機發光裝置堆疊結構的截面圖；

圖3是根據實施方式的有機發光裝置的截面圖；

圖4是說明實施例1和對比例1的有機發光裝置的電流效率的圖；

圖5是說明實施例2和對比例2的有機發光裝置的電流效率的圖；

圖6是說明實施例3和對比例3的有機發光裝置的電流效率的圖；

圖7是說明實施例3和對比例3的有機發光裝置的亮度隨時間變化的圖；

圖8是說明在向實施例1和對比例1的有機發光裝置施加脈沖電壓后，發光強度隨時間變化的圖；

圖9是說明實施例1的有機發光裝置和實施例4的有機發光裝置的波長譜圖；且

圖10是說明在形成氧化物半導體層時，光電流隨熱處理溫度和氧氣分壓變化的圖。

具體實施方式

以下將參照附圖詳細說明各實施方式。

圖1是說明根據一個實施方式的有機發光裝置堆疊結構的截面圖。參照圖1，氧化物半導體層12形成在陽極11上。空穴注入層(HIL)13、空穴傳輸層(HTL)14、發光層(EML)15、電子傳輸層(ETL)16和電子注入層(EIL)17按所述順序依次形成在氧化物半導體層12上。陰極18形成在EIL17上。

陽極11可包括氧化銦(InO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，它們的復合物的材料。陽極11還可包括金(Au)、鉑(Pt)、銀(Ag)、銅(Cu)等。