[發(fā)明專(zhuān)利]一種板對(duì)板連接器公端的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110076657.2
• 申請(qǐng)日: 2011-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102723650A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周建剛;陳大軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01R43/00
• 分類(lèi)號(hào): H01R43/00;H01R43/16;H01R43/18
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.?一種板對(duì)板連接器公端的制備方法，包括注塑成型具有凹槽的絕緣本體，凹槽貫穿于絕緣本體的上下表面，用于插接板對(duì)板連接器母端，然后根據(jù)需要在絕緣本體的選定區(qū)域進(jìn)行金屬化，在該選定區(qū)域形成金屬層，得到具有所需形狀的金屬端子，即得到所述板對(duì)板連接器公端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬化包括對(duì)絕緣本體的選定區(qū)域進(jìn)行物理氣相沉積或化學(xué)鍍，在選定區(qū)域表面覆蓋金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述化學(xué)鍍包括先對(duì)絕緣本體表面的選定區(qū)域進(jìn)行激光活化，形成化學(xué)鍍活性中心，再進(jìn)行化學(xué)鍍形成金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，物理氣相沉積包括在真空條件下，采用物理方法將金屬材料氣化成氣態(tài)金屬原子，然后通過(guò)低壓氣體或等離子體將氣態(tài)金屬原子沉積于絕緣本體表面的選定區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述物理氣相沉積選自真空蒸鍍、磁控濺射鍍膜或電弧等離子體鍍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層的金屬為Cu、Al、Au、Ag或其合金，金屬層的厚度為0.05-0.12mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣本體為液晶聚合物基材或尼龍基材。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括注塑成型后蓋，并將所述后蓋裝配于絕緣本體上用于封閉凹槽的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述裝配包括將后蓋覆蓋于形成有金屬端子的絕緣本體表面，然后進(jìn)行超聲波焊接、熱壓和/或熱熔，使后蓋與絕緣本體結(jié)合成一體結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述后蓋與凹槽的形狀匹配。