[發明專利]半導體發光芯片

無效

• 申請號: 201110075135.0
• 申請日: 2011-03-28
• 公開（公告）號: CN102709428A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 曾堅信
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體發光芯片。

背景技術

由于照明應用將是半導體發光技術市場化的主要方向，因此，如何提高半導體發光芯片的發光效率已成為業界亟待解決的技術問題。然而，現有半導體發光芯片的n型電極通常設置在作為發光面的n型半導體層的頂面上，從而會降低半導體發光芯片的發光效率。

發明內容

鑒于此，有必要提供一種具有高發光效率的半導體發光芯片。

一種半導體發光芯片，其包括基板、設置在該基板上的發光結構層及第一電極。所述發光結構層包括依次排布的第一半導體層、發光層及第二半導體層。所述發光結構層內還開設有至少一個容置槽，該容置槽由第二半導體層底面貫穿發光層并延伸至第一半導體層內，該容置槽的內側壁上設置有絕緣反射層。所述第一電極包括設置在基板頂面的基底及由基底向上延伸出的至少一個連接部，該至少一個連接部對應地設置于容置槽內并與第一半導體層電連接。

所述半導體發光芯片通過將所述第一電極埋設在半導體發光芯片的內部以使得作為發光面之一的第一半導體層頂面不會受到遮蔽，從而提高半導體發光芯片的出光效率。而且，埋設在內部的第一電極的接觸面積可做得比較大，從而降低電流密度，可減緩因電流密度升高而使發光效率下降的現象，使得半導體發光芯片可以承受更高的操作電流。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1為本發明第一實施方式所提供的半導體發光芯片的結構示意圖。

圖2為本發明第二實施方式所提供的半導體發光芯片的結構示意圖。

主要元件符號說明

??半導體發光芯片??1、2??基板??10??第一電極??12??容置槽??13??反射層??14??焊墊??15??透明導電層??16??第二電極??17??發光結構層??18??接觸層??19??第一半導體層??180??發光層??182??第二半導體層??184??導通孔??184a

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。

具體實施方式