[發明專利]半導體發光芯片

無效

• 申請號: 201110075135.0
• 申請日: 2011-03-28
• 公開（公告）號: CN102709428A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 曾堅信
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體發光芯片，其包括基板及設置在該基板上的發光結構層，該發光結構層包括依次排布的第一半導體層、發光層及第二半導體層，其特征在于：該發光結構層內還開設有至少一個容置槽，該容置槽由第二半導體層底面貫穿發光層并延伸至第一半導體層內，該容置槽的內側壁上設置有絕緣反射層，該半導體發光芯片還包括第一電極，所述第一電極包括設置在基板與發光結構層之間的基底及至少一個由基底延伸出的連接部，該至少一個連接部對應地設置容置槽內并與第一半導體層電連接。

2.如權利要求1所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述基底的形狀選自環狀、同心環狀、條狀、分散排布的點狀。

3.如權利要求1所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述基板為導電的金屬基板或半導體基板。

4.如權利要求1所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述第二半導體層的底面通過一接觸層與一透明導電層電連接。

5.如權利要求4所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述接觸層選自高摻雜的P型氮化物、超晶格P型氮化物、P型摻雜反轉層。

6.如權利要求4所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述透明導電層與第一電極之間還間隔有所述絕緣反射層。

7.如權利要求6所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述絕緣反射層為分布式布拉格反射鏡。

8.如權利要求6所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述絕緣反射層的反射主頻寬為440nm-470nm。

9.如權利要求6所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述絕緣反射層的材料選自二氧化硅、二氧化鈦、五氧化二鉭、氮化硅、氮化鈦、氮化鉭。

10.如權利要求1所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述發光結構層的一側被蝕刻去除后露出部分透明導電層，所述半導體發光芯片還包括設置于外露的透明導電層上的第二電極。

11.如權利要求1所述的半導體發光芯片，其特征在于：所述發光結構層的一側蝕刻至第一半導體層內部以露出部分第一半導體層，所述第一半導體層外露的表面上開設有貫穿至透明導電層的導通孔，所述半導體發光芯片包括設置在第一半導體層外露表面上并通過導通孔與透明導電層電連接的第二電極。