[發明專利]真空清洗方法

在審

• 申請號: 201110074348.1
• 申請日: 2011-03-28
• 公開（公告）號: CN102708875A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 顧友芳;李寧
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: G11B5/41
• 分類號: G11B5/41
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

技術領域

本發明涉及一種用于清洗半導體產品的方法，尤其涉及一種用以清洗磁盤驅動器的磁頭的真空清洗方法。

背景技術

隨著亞微型尺寸的高密度電路的發展，將半導體產品表面上的不必要的污染物去掉顯得非常必要，這些半導體產品例如是高密度芯片、晶片或用于磁盤驅動器上的磁頭，等等。

其中，隨著磁頭的加工精度的發展，磁頭的空氣承載面(ABS)上的圖案變得越來越復雜。因此，形成該ABS的蝕刻工藝十分繁復，其采用大量的膠水、冷卻劑等。當通過磁頭分割工藝生產出單一磁頭后，膠水、冷卻劑和磨劑的殘余物會殘余在磁頭的ABS上。因此，磁頭的清洗工藝在磁頭分割后顯得十分重要。

目前使用的有幾種清洗方法和清洗裝置。其中圖1a、1b、2a、2b展示了一種傳統的方法、裝置。如圖1a、1b所示，由多個盒體404承載的多個磁頭406被浸在充滿清洗液403的清洗槽401中。其中，盒體404由一框架405承載。該清洗液403包括去離子水、H₂SO₄、H₂O₂或酒精。在盒體404上設置多個孔407，從而使得清洗液403自由流出或流入。如圖2a所示，在清洗槽401的底壁上設有超聲波換能器402，用以向清洗液403提供振動，從而使其產生氣泡501和波浪502。當超聲波換能器402工作時，產生氣泡501和波浪502，該氣泡501在接觸到清洗槽403內的物體的表面時會發生爆破。具體地，氣泡501接觸到盒體404的下表面和磁頭406的下表面時發生爆破，從而將磁頭406下表面上的污垢和殘余物清洗干凈。然而，一方面，只依靠于超聲波換能器402的清洗能力很小；另一方面，氣泡501只在磁頭406的下表面和位于框架405的下方的磁頭406上發生爆破，因此，磁頭406的上表面和位于框架405上方的磁頭無法被清洗干凈。

圖3展示了另一種清洗方法和清洗裝置。該裝置在清洗槽401的底部增設了一個加熱絲601，其使得清洗液403沸騰從而產生更多的氣泡501。誠然，該種結合超聲波換能器402和加熱絲601的清洗方法的清洗效果較上述的方法好，但是卻帶來其他問題。由于當加熱絲601持續工作時，清洗液403一直保持高溫，因此，清洗液403在持續高溫下十分容易揮發。一方面，造成清洗液403的浪費，使得成本增加；另一方面，當清洗液403減少到低于加熱絲601時，潛在火災的危險，這將損壞清洗物和超聲波換能器402或其他設備。因此，該種清洗方法仍然不理想。

因此，亟待一種改進的清洗方法以克服上述缺陷。

發明內容

本發明的目的在于提供一種真空清洗方法，其清洗效果好、清洗環境安全性高，而且減小清洗液的浪費，節省成本。

為實現上述目的，本發明提供了一種真空清洗方法，包括將半導體產品浸在裝有清洗液的清洗槽中；向所述清洗液施加超聲波振動；連續抽出所述清洗槽中的空氣，從而至少制造局部真空環境；在抽氣的過程中將所述清洗液加熱，從而使所述清洗液在低于沸點的溫度下沸騰，進而在半導體產品的任意位置上將其清洗。

作為一個優選實施例，該方法進一步包括：控制一熱水泵向設置于所述清洗槽的下方的若干加熱管供應熱水，從而將所述清洗液加熱。

較佳地，所述加熱管設置于所述清洗槽的下方的內壁或外壁。

較佳地，該方法還包括控制所述加熱管的溫度在30℃～45℃之間。

較佳地，該方法還包括控制一冷卻水泵向設置于所述清洗槽的上方的若干冷卻管供應冷卻水，從而將所述清洗液的蒸氣冷卻成冷凝液。

較佳地，所述冷卻管設置于所述清洗槽的上方的內壁或外壁。

較佳地，所述加熱管設置于所述清洗槽的下方的內壁或外壁。

較佳地，所述加熱管的溫度在30℃～45℃之間。

作為另一實施例，該方法還包括控制所述冷卻管的溫度在10℃～15℃之間。

較佳地，該方法還包括控制所述清洗槽的壓強在0～25kPa之間變化。

較佳地，所述清洗槽上設有一殼罩，所述殼罩和所述清洗槽之間設有一橡膠墊。

較佳地，所述清洗液為異丙醇。

較佳地，所述半導體產品為半導體晶片、芯片或磁頭。