[發(fā)明專利]真空清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110074348.1 | 申請日： | 2011-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN102708875A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 顧友芳;李寧 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發(fā)有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/41 | 分類號： | G11B5/41 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空 清洗 方法 | ||
1.一種真空清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將半導體產(chǎn)品浸在裝有清洗液的清洗槽中；
(2)向所述清洗液施加超聲波振動；
(3)連續(xù)抽出所述清洗槽中的空氣，從而至少制造局部真空環(huán)境；
(4)在抽氣的過程中將所述清洗液加熱，從而使所述清洗液在低于沸點的
溫度下沸騰，進而在半導體產(chǎn)品的任意位置上將其清洗。
2.如權利要求1所述的真空清洗方法，其特征在于，步驟(4)進一步包括：控制一熱水泵向設置于所述清洗槽的下方的若干加熱管供應熱水，從而將所述清洗液加熱。
3.如權利要求2所述的真空清洗方法，其特征在于：所述加熱管設置于所述清洗槽的下方的內(nèi)壁或外壁。
4.如權利要求2所述的真空清洗方法，其特征在于：還包括控制所述加熱管的溫度在30℃～45℃之間。
5.如權利要求1所述的真空清洗方法，其特征在于：還包括控制一冷卻水泵向設置于所述清洗槽的上方的若干冷卻管供應冷卻水，從而將所述清洗液的蒸氣冷卻成冷凝液。
6.如權利要求5所述的真空清洗方法，其特征在于：所述冷卻管設置于所述清洗槽的上方的內(nèi)壁或外壁。
7.如權利要求5所述的真空清洗方法，其特征在于：還包括控制所述冷卻管的溫度在10℃～15℃之間。
8.如權利要求1所述的真空清洗方法，其特征在于：還包括控制所述清洗槽的壓強在0～25kPa之間變化。
9.如權利要求1所述的真空清洗方法，其特征在于：所述清洗槽上設有一殼罩，所述殼罩和所述清洗槽之間設有一橡膠墊。
10.如權利要求1所述的真空清洗方法，其特征在于：所述清洗液為異丙醇。
11.如權利要求1所述的真空清洗方法，其特征在于：所述半導體產(chǎn)品為半導體晶片、芯片或磁頭。
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