[發明專利]淺溝槽隔離結構的制造方法

有效

• 申請號: 201110071151.2
• 申請日: 2011-03-23
• 公開（公告）號: CN102693932A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 邵群
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括密線區和疏線區，所述半導體襯底中形成有淺溝槽隔離溝槽；

在所述淺溝槽隔離溝槽內形成襯墊氧化硅層；

減薄所述疏線區的襯墊氧化硅層的厚度；

通過高深寬比工藝，在所述半導體襯底和襯墊氧化硅層上形成絕緣氧化層，所述絕緣氧化層填充滿所述淺溝槽隔離溝槽；

通過化學機械研磨工藝，平坦化所述絕緣氧化層，形成淺溝槽隔離結構。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述襯墊氧化硅層的厚度為20埃～100埃。

3.如權利要求1或2所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述疏線區的襯墊氧化硅層的減薄的厚度為5埃～80埃。

4.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，減薄所述疏線區的襯墊氧化硅層的厚度的工藝為干法刻蝕或者濕法刻蝕工藝。

5.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底包括硅基底和形成于所述硅基底上的氮化硅層。

6.如權利要求5所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述化學機械研磨工藝對所述絕緣氧化層和所述氮化硅層的研磨選擇比大于5：1。

7.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述絕緣氧化層的厚度為1000埃～8000埃。