[發明專利]避免產生雙晶的晶圓劈裂方法

無效

• 申請號: 201110071121.1
• 申請日: 2011-03-23
• 公開（公告）號: CN102693940A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 陳孟端
• 申請（專利權）人: 正恩科技有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B28D5/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術領域

本發明涉及切割晶圓的加工處理方法，尤其涉及一種提升晶圓切割優良率的加工處理方法。

背景技術

請參閱圖1與圖2所示，晶圓劈裂機用于將晶圓1劈裂為一粒粒的晶粒，以進行后續的封裝作業，晶圓1在進行劈裂之前，會先用激光切割出橫向與縱向的激光切割線2，晶圓1上的激光切割線2并未斷裂，其約略保留三分之二的厚度相連，接著將晶圓1貼附一藍片3(或白膜)，再于晶圓1上方覆蓋一保護膜(圖未示)加以保護后，通過一固定夾具4送入一晶圓劈裂機進行劈裂作業。

晶圓劈裂機包含一工作臺5、一劈刀6、兩個劈裂臺7與一影像擷取系統8，該工作臺5夾置該固定夾具4，并可作平面方向的移動與轉動，該劈刀6與該兩個劈裂臺7分設于該晶圓1的上下兩側，以使該晶圓1抵壓該兩個劈裂臺7，并通過擊錘(圖未示)敲擊該劈刀6所產生的沖擊力進行劈裂作業，該影像擷取系統8則用于截取該晶圓1的影像。

據而該晶圓1可通過該劈刀6的沖擊力與該工作臺5的定量位移，對多個激光切割線2連續進行劈裂，而該影像擷取系統8則在連續劈裂過程中監控該晶圓1的定位是否偏移，以視偏移的程度重新進行定位，而當橫向與縱向的激光切割線2皆被劈裂之后即完成劈裂作業。

此已知的晶圓劈裂機，其在劈裂的過程中，該兩個劈裂臺7的間隙為固定距離，因此當晶圓1不斷被劈裂而縮小尺寸時，小到一定尺寸的晶圓1，其受力面積不足，因此在劈裂時即無法有效抵壓該兩個劈裂臺7，亦即劈刀6無法有效劈斷晶圓1，其產生的晶粒會有雙晶(兩片晶粒相連)現象的產生，其會減少工藝優良率，尤其對于要產生中小尺寸的晶粒來說，其產生雙晶現象的狀況更為明顯與嚴重。

又倘若直接縮小該兩個劈裂臺7的間隙，雖可改善雙晶現象，然而當該兩個劈裂臺7的間隙過小時，用于劈裂一般尺寸的晶圓1時，產生的晶粒容易有崩裂、斜裂等問題，同樣會減少工藝優良率。

發明內容

因此，本發明的主要目的在于提供一種避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，以提升優良率，滿足使用者的需求。

經由以上可知，為實現上述目的，本發明為一種避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，其步驟包含預備一待劈裂的晶圓與預備一劈裂裝置，該晶圓上設有多個供該劈裂裝置劈斷且垂直相交的激光切割線，該劈裂裝置包含一劈刀、一工作臺與兩個相對移動的劈裂臺，該晶圓置于該工作臺與該兩個劈裂臺上，且該劈刀正對該兩個劈裂臺的間隙。

接著為執行劈裂作業，通過該劈刀對該激光切割線進行劈裂動作，且在該劈刀對該多個激光切割線的任一個進行劈裂后，使該劈裂裝置選擇是否改變該兩個劈裂臺的間隙。

根據本發明進一步改進的技術方案，該兩個劈裂臺各包含一固定部與一移動部，該移動部相對于該固定部移動，而改變該兩個劈裂臺的間隙。

根據本發明進一步改進的技術方案，該劈裂裝置在該劈刀劈裂該晶圓的方向垂直轉向時，縮小該兩個劈裂臺的間隙。

根據本發明進一步改進的技術方案，該劈裂裝置在該劈刀劈裂該晶圓的位移方向改變時，縮小該兩個劈裂臺的間隙。

根據本發明進一步改進的技術方案，該劈裂裝置在該劈刀劈裂該晶圓的位移距離縮小時，縮小該兩個劈裂臺的間隙。

根據本發明進一步改進的技術方案，該劈裂裝置在該劈刀對準該晶圓的激光切割線，靠近該晶圓的邊端時，縮小該兩個劈裂臺的間隙。

根據本發明進一步改進的技術方案，當該劈裂裝置的該劈刀以間隔跳躍分為單數刀與雙數刀來劈裂該晶圓時，其在劈裂完單數刀后，縮小該兩個劈裂臺的間隙，之后再劈裂雙數刀。

根據本發明進一步改進的技術方案，待劈裂的晶圓的實際尺寸與該兩個劈裂臺的間隙正相關。

據此，該劈刀每次劈裂時，皆可依據部分劈裂后該晶圓的實際尺寸來設定該兩個劈裂臺的間隙，以使該劈刀可確實劈斷該晶圓，避免晶粒產生雙晶，同時可避免該兩個劈裂臺的間隙過窄，使晶粒產生崩裂、斜裂等問題，而可確實提升工藝優良率。

附圖說明

圖1為已知晶圓劈裂裝置的局部結構示意圖；

圖2為已知待劈裂晶圓的結構示意圖；

圖3為本發明待劈裂晶圓的結構示意圖；

圖4為本發明晶圓劈裂裝置的局部結構示意圖；以及

圖5為本發明縮小劈裂臺間隙的局部結構示意圖。

具體實施方式

為使貴審查員對本發明的特征、目的及功效，有著更加深入的了解與認同，茲列舉優選實施例并配合附圖說明如后：