[發明專利]避免產生雙晶的晶圓劈裂方法無效
| 申請號： | 201110071121.1 | 申請日： | 2011-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN102693940A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發明（設計）人： | 陳孟端 | 申請（專利權）人： | 正恩科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 余剛;吳孟秋 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 避免 產生 雙晶 劈裂 方法 | ||
1.一種避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，其特征在于，包含以下步驟：
預備一待劈裂的晶圓(10)，所述晶圓(10)上設有多個垂直相交的激光切割線(11)；
預備一劈裂裝置(20)，所述劈裂裝置(20)具有一劈刀(21)、一工作臺(22)與兩個相對移動的劈裂臺(23)，所述晶圓(10)置于所述工作臺(22)與所述兩個劈裂臺(23)上，且所述劈刀(21)正對所述兩個劈裂臺(23)的間隙(30)；
執行劈裂作業，通過所述劈刀(21)對所述激光切割線(11)進行劈裂動作，且在所述劈刀(21)對所述多個激光切割線(11)的任一個進行劈裂后，使所述劈裂裝置(20)選擇是否改變所述兩個劈裂臺(23)的間隙(30)。
2.根據權利要求1所述的避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，其特征在于，
所述兩個劈裂臺(23)各包含一固定部(231)與一移動部(232)，所述移動部(232)相對于所述固定部(231)移動，而改變所述兩個劈裂臺(23)的間隙。
3.根據權利要求1所述的避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，其特征在于，
所述劈裂裝置(20)在所述劈刀(21)劈裂所述晶圓(10)的方向垂直轉向時，縮小所述兩個劈裂臺(23)的間隙(30)。
4.根據權利要求1所述的避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，其特征在于，
所述劈裂裝置(20)在所述劈刀(21)劈裂所述晶圓(10)的位移方向改變時，縮小所述兩個劈裂臺(23)的間隙(30)。
5.根據權利要求1所述的避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，其特征在于，
所述劈裂裝置(20)在所述劈刀(21)劈裂所述晶圓(10)的位移距離縮小時，縮小所述兩個劈裂臺(23)的間隙(30)。
6.根據權利要求1所述的避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，其特征在于，
所述劈裂裝置(20)在所述劈刀(21)對準所述晶圓(10)的激光切割線(11)，靠近所述晶圓(10)的邊端時，縮小所述兩個劈裂臺(23)的間隙(30)。
7.根據權利要求1所述的避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，其特征在于，
當所述劈裂裝置(20)的所述劈刀(21)以間隔跳躍分為單數刀與雙數刀來劈裂所述晶圓(10)時，其在劈裂完單數刀后，縮小所述兩個劈裂臺(23)的間隙(30)，之后再劈裂雙數刀。
8.根據權利要求1所述的避免產生雙晶的晶圓劈裂方法，其特征在于，待劈裂的晶圓(10)的實際尺寸與所述兩個劈裂臺(23)的間隙(30)正相關。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
