[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201110070496.6
• 申請日: 2011-03-21
• 公開（公告）號: CN102270611A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 瀨田涉二;井熊秀明
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/488
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 蔡勝利

1.一種半導體裝置，包括：

半導體基板，其具有布置于其上表面上的多個墊電極并且具有近似矩形形狀；

再配線層，其被設置有連接至所述多個墊電極上的多個接觸配線，所述再配線層被通過絕緣膜布置于所述半導體基板上；以及

多個球電極，它們被布置于所述再配線層上；

其中，所述多個墊電極中的多個第一墊電極被沿所述半導體基板的第一邊布置于所述半導體基板的外周上；

所述多個球電極中的多個第一球電極被沿所述第一邊布置于所述再配線層的外周上；并且

所述多個第一球電極的任何一個被通過所述接觸配線連接至放置于相應球電極下面的所述第一墊電極上，并且所述第一墊電極沒有被布置于放置于所述第一邊端部的所述第一球電極下面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置還包括外周配線，其被沿所述第一邊布置于所述再配線層的外周上，所述外周配線位于所述第一墊電極外面。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置還包括第二球電極和第三球電極，它們被設置于所述半導體基板的中心區域內；

其中，所述多個第一墊電極中的被供給第一電壓的墊電極被連接至所述外周配線上，所述外周配線被通過所述再配線層的第一再配線連接至所述第二球電極；并且

所述多個第一墊電極中的被供給第二電壓的墊電極被通過所述再配線層的第二再配線連接至所述第三球電極。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述外周配線延伸至除所述第一邊之外的邊。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一電壓是電源電壓，并且所述第二電壓是接地電壓。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一電壓是接地電壓，并且所述第二電壓是電源電壓。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個第一球電極的任何一個被連接至放置于相應球電極下面的多個所述第一墊電極上。

8.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體基板還包括設置于所述半導體基板上的中心區域內的第二墊電極；并且

所述第二墊電極被通過所述接觸配線連接至所述第二球電極。

9.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體基板還包括設置于所述半導體基板上的中心區域內的第二墊電極；并且

所述第二墊電極被通過所述接觸配線連接至所述第三球電極。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體基板還包括被布置于所述第一球電極和所述接觸配線之間的連接電極，并且電連接所述第一球電極和所述接觸配線；

其中，所述連接電極的底表面的面積被設置成大于所述第一墊電極的上表面的面積。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體基板還包括被布置于所述第一球電極和所述接觸配線之間的連接電極，并且電連接所述第一球電極和所述接觸配線；

其中，所述連接電極的底表面的面積被設置成大于所述接觸配線的上表面的面積，所述接觸配線的上表面被連接至所述連接電極的底表面。