[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201110070496.6
• 申請日: 2011-03-21
• 公開（公告）號: CN102270611A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 瀨田涉二;井熊秀明
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/488
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 蔡勝利

相關申請的交叉引用

本申請基于下述申請并要求下述申請的優先權：2010年6月3日提交的在先日本專利申請No.2010-127947；其整體內容被以引用方式并入。

技術領域

這里描述的實施方式大致涉及應用晶圓級芯片尺寸封裝(WCSP)的半導體裝置。

背景技術

在傳統技術中，因為WCSP的再配線層是一層，所以與多層基板例如球柵陣列(BGA)相比，配線很困難。

由于此原因，根據焊墊的布置，存在可能沒有被連接的信號線、電源和地線。因此，很難制造大規模集成電路(LSI)。

附圖說明

圖1是示出了根據第一實施例的半導體裝置100的結構示例的圖示；

圖2是示出了圖1所示的半導體裝置100從上側看過去的示例的俯視圖；

圖3是示出了圖2的線A-A處的半導體裝置100的剖面示例的剖視圖；

圖4是示出了圖1所示的半導體裝置100從上側看過去的另一示例的俯視圖；

圖5是示出了圖1所示的半導體裝置100從上側看過去的另一示例的俯視圖；

圖6是示出了圖5的線B-B處的半導體裝置100的剖面示例的剖視圖；

圖7是示出了圖1所示的半導體裝置100從上側看過去的另一示例的俯視圖；

圖8是示出了圖7的線C-C處的半導體裝置100的剖面示例的剖視圖；

圖9是示出了圖1所示的半導體裝置100從上側看過去的另一示例的俯視圖；以及

圖10是示出了圖9的線D-D處的半導體裝置100的剖面示例的剖視圖。

具體實施方式

根據實施例的半導體裝置包括：半導體基板，其具有設置于其上表面上的多個墊電極并且具有近似矩形形狀；再配線層，其被設置有連接至所述多個墊電極上的多個接觸配線，再配線層被通過絕緣膜布置于半導體基板上，并且具有近似矩形形狀；以及多個球電極，它們被設置于再配線層上。所述多個墊電極中的多個第一墊電極被沿半導體基板的第一邊布置于半導體基板的外周上，所述多個球電極中的多個第一球電極被沿該第一邊布置于再配線層的外周上，并且所述多個第一球電極中的任何一個被通過接觸配線連接至放置于相應球電極下面的第一墊電極上，并且第一墊電極不被布置于放置于該第一邊端部的第一球電極的下側。

下面將根據附圖描述實施例。

(第一實施例)

圖1是示出了根據第一實施例的半導體裝置100的結構示例的圖示。圖2是圖1所示的半導體裝置100從上側看過去的示例的俯視圖。圖3是圖2的線A-A處半導體裝置100的剖面示例的剖視圖。圖4是圖1所示的半導體裝置100從上側看過去的另一示例的俯視圖。

如圖1至3中所示，半導體裝置100包括具有近似矩形形狀的LSI基板1、具有近似矩形形狀的再配線層3，以及多個球電極(凸塊)2a、2b和2c。

在LSI基板1中，半導體集成電路(圖中未示出)被形成。LSI基板1具有具有近似矩形形狀的半導體基板1a、絕緣膜1b和連接至半導體集成電路的多個墊電極4a、4b和4c。

在半導體基板(例如，硅基板)1a的上表面上，設置有多個墊電極4a、4b和4c，它們被連接至半導體集成電路。

絕緣膜1b被設置于半導體基板1a上并且覆蓋半導體集成電路和多個墊電極4a、4b和4c。

在該多個墊電極4a、4b和4c中，多個第一墊電極4a和4b被沿平行于半導體基板1a的基板表面的半導體基板1a的第一至第四邊101a至101d布置于半導體基板1a的外周上。

例如，墊電極4a和4c被通過再配線(圖中未示出)連接至球電極2a和2c。在這種情況下，兩個墊電極4a被布置于球電極2a和2b之間。然而，墊電極的數目可以根據需要而改變。

墊電極4c被連接至布置于LSI基板1的中心側上的知識產權核(IP核)(圖中未示出)。墊電極4c被布置于LSI基板1的中心側上，以減少外周或上層的配線數。

再配線層3包括設置于絕緣膜1b上的聚酰亞胺膜(樹脂膜)3a和3b、用于倒裝芯片的連接電極5，以及接觸配線7。

再配線層3被通過絕緣膜1b設置于半導體基板1a上。在再配線層3中，設置有被連接至多個墊電極4b上的多個接觸配線(過孔)7。

連接電極5被布置于第一球電極2b和接觸配線7之間，并且電連接第一球電極2b和接觸配線7。