[發明專利]一種制造硅片絨面的方法

無效

• 申請號: 201110069158.0
• 申請日: 2011-03-22
• 公開（公告）號: CN102157628A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 解柔強;高鵬
• 申請（專利權）人: 馬鞍山優異光伏有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 馬鞍山市金橋專利代理有限公司 34111
• 代理人: 阮愛農

1.一種制造硅片絨面的方法，其具體步驟如下：

（1）利用水膜方式在硅片上形成含有聚苯乙烯微粒的掩膜層：?a）先將Si襯底片在NH₄OH、H₂O₂、H₂O?混合溶液（體積比1：2：6）中煮沸5-10分鐘，再用去離子水徹底沖洗；b）將洗凈的Si?襯底片烘干后在濃度為10%的十二烷基硫酸鈉溶液中浸泡1-20小時，得到親水的襯底表面；將一定量的聚苯乙烯小球配置成膠體溶液，用等體積的乙醇進行稀釋；然后將稀釋后的溶液滴在浸泡過的Si襯底片表面，溶劑連同聚苯乙烯小球在Si襯底片表面鋪展開來；c）先將Si襯底片緩慢地浸入到去離子水里，由于水表面張力作用，在水表面形成一層PS膠體小球的單層膜；再向去離子水中滴入一定量的濃度為2%的十二烷基硫酸鈉溶液；d）在室溫條件下靜置約5-15分鐘后，用浸泡過的Si襯底片將PS小球膜撈起來，在空氣中自然揮發干燥，再滴入少量的濃度為10%的十二烷基硫酸鈉溶液到裝有小球的容器中，溶劑揮發后在Si襯底片表面形成有序的二維膠體晶體陣列；

（2）利用等離子刻蝕方法對已有掩膜層的硅片進行刻蝕，形成特定的減反結構；

（3）去除硅片表面剩余的掩膜層物質。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征是：步驟（1）-b中的聚苯乙烯小球的粒子尺寸為200?nm，標準偏差小于10%。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征是：步驟（1）-c中的去離子水PH?值為7.0，電阻率20MΩ。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征是：步驟（1）可以是利用印刷方式在硅片上形成含有聚苯乙烯微粒的掩膜層，其掩膜層的物質可以是聚苯乙烯小球、其他規則或不規則形狀的聚苯乙烯微粒，掩膜層的物質需在硅片表面均勻平鋪。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征是：聚苯乙烯小球的粒子尺寸為200?nm，標準偏差小于10%。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征是：聚苯乙烯微粒的粒度為10nm~5μm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征是：步驟（2）具體為：以CF₄為氣源，在1-60瓦的功率下對鋪有單層二維聚苯乙烯小球陣列的硅片進行刻蝕，刻蝕時間為1~30分鐘；CF₄的流量為5-60SCCM。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征是：步驟（3）具體為：以O₂為氣源，對刻蝕后的硅片在600^oC以上的溫度下氧化1小時，去除表面的聚苯乙烯材料；O₂的流量為0.1-20L/min。