[發明專利]非創傷性葛根素離子滲透給藥系統的制備方法

無效

• 申請號: 201110062661.3
• 申請日: 2011-03-16
• 公開（公告）號: CN102671292A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 李子樵;練子富;許清芳;丁竟鵬
• 申請（專利權）人: 上海藍怡科技有限公司
• 主分類號: A61M37/00
• 分類號: A61M37/00
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所 31251
• 代理人: 郭桂峰

1.一種非創傷性葛根素離子滲透給藥系統的制備方法，其特征在于，該給藥系統包括給藥池、接受池、導電硅膠電極、離子滲透儀或交流電發生儀，其制備方法采取如下步驟：

選擇給藥池溶液和接受池溶液：給藥池溶液選用pH值為5.0-5.5之間的葛根素溶液，其pH范圍內離子型藥物占藥物總濃度的96%以上，保證離子滲透過程順利完成，給藥池中同時加入皮膚滲透促進劑，接受池溶液選用生理鹽水；

置換葛根素離子交換膜：將陽離子交換膜切割成所需大小，經去離子水沖洗后，置于含有皮膚滲透促進劑的pH值為5.0-5.5之間的葛根素飽和溶液中，再經水浴搖床震蕩，水浴搖床的溫度為37℃，震蕩時間為12hr，此時葛根素飽和溶液中的葛根素離子與陽離子交換膜進行置換，并檢測被置換溶液中葛根素殘留量，多次置換，直至離子交換膜上所吸附葛根素離子達到飽和；

判斷是否提取完全：為確定飽和后葛根素離子交換膜的藥物吸附量，用乙醇為溶劑反復提取飽和后的葛根素離子交換膜上的藥物，直到最后一次提取量小于第一次提取量的10%時，認為提取完全；

葛根素離子交換膜置入導電硅膠電極：取出飽和后的葛根素離子交換膜，用吸水紙將葛根素離子交換膜表面的液層吸干，然后置入導電硅膠電極內，再將硅膠壓緊，使葛根素離子交換膜和導電硅膠電極密合；

連接葛根素離子滲透給藥系統：根據直流電或交流電或直流電/交流電結合的不同電源，采用離子滲透儀或交流電發生儀與給藥池、接受池、導電硅膠電極連接為離子滲透水平擴散或垂直擴散方式。

2.根據權利要求1所述的非創傷性葛根素離子滲透給藥系統的制備方法，其特征在于：所述的皮膚滲透促進劑選用范圍包括萜烯類、醇類、氨基化合物類、陰離子表面活性劑、氮卓酮類、陽離子表面活性劑、脂肪酸、非離子表面活性劑、多元醇類、吡咯烷酮類、亞砜類、兩性離子表面活性劑類及水、尿素、環糊精。

3.根據權利要求1所述的非創傷性葛根素離子滲透給藥系統的制備方法，其特征在于：步驟C中的葛根素飽和溶液為采用濃度為10%的HCl溶液調節而成的。

4.根據權利要求1所述的非創傷性葛根素離子滲透給藥系統的制備方法，其特征在于，步驟E中連接葛根素離子滲透給藥系統時，根據電源的選擇有如下三種情況：

直流電：采用電流恒定型離子滲透儀，給藥池電極為Ag，接受池電極為AgCl/Ag，電流密度為0.05-0.5mA/?cm²，給藥時間至少為時滯T_lag的3-4倍；

交流電：采用結合有電壓放大器的交流電發生儀，施加電壓為5V-80V，頻率0.05Hz-1000Hz，給藥池及接受池電極均為AgCl/Ag，給藥時間至少為時滯T_lag的3-4倍；

直流電/交流電結合：采用結合有電壓放大器的交流電發生儀，施加電壓為5V-80V，頻率0.05Hz-1000Hz，給藥池及接受池電極均為AgCl/Ag，給藥時間至少為時滯T_lag的3-4倍。