[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110061790.0
• 申請日: 2011-03-15
• 公開（公告）號: CN102173377A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發明（設計）人: 汪新學;康曉旭
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種半導體器件制造方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有圖形化的膜層；

在所述半導體襯底以及圖形化的膜層表面形成刻蝕阻擋層；

在所述刻蝕阻擋層表面形成材料層；

刻蝕所述材料層直至暴露出所述刻蝕阻擋層的表面，從而在所述圖形化的膜層側壁形成具有緩變側壁的緩變坡度材料層；

去除未被所述緩變坡度材料層覆蓋的刻蝕阻擋層。

2.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為SiO2，所述材料層的材料為CVD-Si。

3.如權利要求2所述的半導體器件制造方法，其特征在于，濕法去除未被所述緩變坡度材料層覆蓋的刻蝕阻擋層。

4.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為CVD-Si，所述材料層的材料為SiO2。

5.如權利要求4所述的半導體器件制造方法，其特征在于，干法去除未被所述緩變坡度材料層覆蓋的刻蝕阻擋層。

6.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述半導體襯底上還形成有釋放保護層，所述圖形化的膜層形成于所述釋放保護層上。

7.如權利要求6所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述釋放保護層的材料為CVD-Si、SiO2或Si₃N₄中的一種或其組合。

8.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述圖形化的膜層是圖形化的敏感材料層。

9.如權利要求8所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述圖形化的敏感材料層利用以下步驟形成：

在所述半導體襯底上形成敏感材料層；

刻蝕所述敏感材料層，以形成圖形化的敏感材料層。

10.如權利要求9所述的半導體器件制造方法，其特征在于，所述敏感材料層的材料為非晶硅。

11.如權利要求10所述的半導體器件制造方法，其特征在于，利用氯氣和溴化氫的混合氣體刻蝕所述敏感材料層形成圖形化的敏感材料層。

12.如權利要求1至11中任一項所述的半導體器件制造方法，其特征在于，去除未被所述緩變坡度材料層覆蓋的刻蝕阻擋層之后，還包括：

在所述半導體襯底、緩變坡度材料層以及圖形化的膜層表面形成電極材料；

在所述電極材料表面形成圖形化的光刻膠；

以所述圖形化的光刻膠為掩膜，刻蝕所述電極材料以形成電極。

13.一種利用權利要求1所述的半導體器件制造方法形成的半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

形成于所述半導體襯底上的圖形化的膜層；

形成于所述圖形化的膜層側壁及其底部周邊的刻蝕阻擋層；

覆蓋所述刻蝕阻擋層的具有緩變側壁的緩變坡度材料層。

14.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為SiO2，所述材料層的材料為CVD-Si。

15.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為CVD-Si，所述材料層的材料為SiO2。

16.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底上還形成有釋放保護層，所述圖形化的膜層形成于所述釋放保護層上。

17.如權利要求16所述的半導體器件，其特征在于，所述釋放保護層的材料為CVD-Si、SiO2或Si₃N₄中的一種或其組合。

18.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，所述圖形化的膜層是圖形化的敏感材料層。

19.如權利要求18所述的半導體器件，其特征在于，所述圖形化的敏感材料層的材料為非晶硅。

20.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，還包括形成于所述圖形化的膜層頂部以及半導體襯底部分區域上方的電極。