[發(fā)明專利]絕緣體上硅襯底上的靜態(tài)隨機存取存儲器及制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110061663.0
• 申請日: 2011-03-15
• 公開（公告）號: CN102176455A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡劍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L29/06;H01L21/8244;H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種形成于絕緣體上硅襯底上的靜態(tài)隨機存取存儲器，包括多個存儲單元，所述每個存儲單位包括：

第一和第二存取NMOS晶體管；

第一驅(qū)動NMOS晶體管和第一負載PMOS晶體管，該些晶體管構(gòu)成第一反相器，其根據(jù)第二存取NMOS晶體管的操作被有選擇地驅(qū)動；以及

第二驅(qū)動NMOS晶體管和第二負載PMOS晶體管，該些晶體管構(gòu)成第二反相器，其根據(jù)第一存取NMOS晶體管的操作被有選擇地驅(qū)動；

所述晶體管均形成在SOI襯底的有源區(qū)上，所述有源區(qū)包括體區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)；其特征在于，

所述每個存儲單元內(nèi)及所述每個存儲單元之間，相鄰的不同類型的晶體管之間具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)同所述SOI襯底的掩埋絕緣層相接觸；相鄰的相同類型的晶體管之間具有超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)將所述相鄰的相同類型晶體管之間的部分有源區(qū)隔離開，使得所述相鄰的相同類型晶體管之間的源區(qū)/漏區(qū)被所述超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)隔離開，而其體區(qū)相通；所述多個存儲單元中相通的體區(qū)之上的有源區(qū)內(nèi)通過離子注入形成有摻雜類型同其體區(qū)摻雜類型相同、且同其體區(qū)相接觸的體區(qū)引出區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的形成于絕緣體上硅襯底上的靜態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，所述超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的厚度為1500埃至2500埃。

3.一種形成于絕緣體上硅襯底上的靜態(tài)隨機存取存儲器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，提供SOI襯底，所述SOI襯底包括加工晶片、掩埋絕緣層及硅膜；

步驟二，在所述SOI襯底的硅膜上制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)同所述掩埋絕緣層相接觸；

步驟三，在所述兩個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的SOI襯底內(nèi)再制作超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)下還保留有一定厚度的所述硅膜，其不與所述掩埋絕緣層相接觸；

步驟四，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的SOI襯底上形成晶體管，位于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的晶體管為相同類型的晶體管，位于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)兩側(cè)的晶體管為不同類型的晶體管；所述晶體管的有源區(qū)內(nèi)形成源/漏區(qū)及體區(qū)；

步驟五，在所述多個存儲單元中相通的體區(qū)之上的有源區(qū)內(nèi)進行離子注入形成摻雜類型同其體區(qū)摻雜類型相同、且同其體區(qū)相接觸的體區(qū)引出區(qū)。

4.如權(quán)利要求3所述的形成于絕緣體上硅襯底上的靜態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，所述超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的厚度為1500埃至2500埃。

5.一種形成于絕緣體上硅襯底上的靜態(tài)隨機存取存儲器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，提供SOI襯底，所述SOI襯底包括加工晶片、掩埋絕緣層及硅膜；

步驟二，在所述SOI襯底的硅膜上制作超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)下還保留有一定厚度的所述硅膜，其不與所述掩埋絕緣層相接觸；

步驟三，在所述兩個超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的SOI襯底上再制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)同所述掩埋絕緣層相接觸；

步驟四，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的SOI襯底上形成晶體管，位于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的晶體管為相同類型的晶體管，位于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)兩側(cè)的晶體管為不同類型的晶體管；所述晶體管的有源區(qū)內(nèi)形成源/漏區(qū)及體區(qū)；

步驟五，在所述多個存儲單元中相通的體區(qū)之上的有源區(qū)內(nèi)進行離子注入形成摻雜類型同其體區(qū)摻雜類型相同、且同其體區(qū)相接觸的體區(qū)引出區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的形成于絕緣體上硅襯底上的靜態(tài)隨機存取存儲器，其特征在于，所述超淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的厚度為1500埃至2500埃。