[發明專利]小功率TOP LED支架制作工藝及其產品和LED模組

無效

• 申請號: 201110061451.2
• 申請日: 2011-03-11
• 公開（公告）號: CN102163663A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 羅錦長
• 申請（專利權）人: 深圳市瑞豐光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/64;H01L25/075;C25D5/02;C25D5/10;C25D7/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本發明屬于LED生產技術領域，更具體地說，是涉及一種小功率TOP?LED支架制作工藝及其產品和LED模組。

背景技術

TOP?LED是指頂面發光、平面發光的LED，即：LED的表面不是半圓的，而是平面的。小功率TOP?LED支架是LED燈珠在封裝之前的基板，起到保護固晶焊線和硅膠成型的作用，最后控制出光效果。在LED支架上固晶焊線，再用封裝膠封裝成形。LED支架杯結構及尺寸大小對發光強度和發光角度有一定影響，其導電性、散熱性對LED的光學性質及使用壽命有直接的關系。

目前，小功率TOP?LED支架的底材一般是銅材，銅材的導電性、導熱性都相對較好，主要起到芯片的導電導熱作用；銅材經過沖壓、電鍍，再用特定的塑料注塑成型，形成帶有杯結構又有金屬導電導熱的支架。這種支架制作工藝雖然業內已較為成熟，但加工難度還相對較大，比如對金屬板進行沖壓成形，對模具的要求較高。

但是，一方面，隨著金屬基材的國內外需求量越來越大，供貨難、價格高成為當前LED行業的一道技術屏障，更是支架的技術難題。目前有些支架廠家為了節約原料成本，開始用含銅量更低的銅合金來代替銅材，甚至直接用鐵材或鐵材作表面處理。但換來換去，始終還是脫離不了金屬基材，金屬材料始終是一種貴重的原物料，而且難于加工成形。

另一個技術層面，合成樹脂材料的更新換代越來越快，勢必合成樹脂材料會越來越便宜。因此，借鑒于PCB產品的制作工藝越來越成熟，完全可以用環氧絕緣板取代銅材，做出新一代的小功率TOP?LED支架。況且，小功率TOP?LED?支架對散熱要求并非行業內所說的那么苛刻，用銅材來做底材完全是大材小用，浪費成本。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種小功率TOP?LED支架制作工藝，旨在通過該工藝制造出基板為環氧絕緣板的小功率TOP?LED支架，以降低生產成本。

為解決上述技術問題，本發明的采用的技術方案是：提供一種小功率TOPLED支架的制作工藝，包括如下步驟：

步驟一，對環氧絕緣板進行裁板和鉆第一通孔；

步驟二，在環氧絕緣板的主面上和背面上劃分出多個電鍍區，將所述電鍍區進行電鍍，電鍍完成后，主面的各電鍍區之間具有間隙；

步驟三，在環氧絕緣板的主面上劃分出注塑區，在所述注塑區上注塑塑料反射杯。

進一步地，所述步驟一還包括鉆用于定位的第二通孔，所述第二通孔的孔徑控制在1.4～1.6mm之間，所述第一通孔的孔徑控制在0.78～0.82mm之間。

進一步地，所述步驟二為：在各所述電鍍區：先覆銅，其厚度控制在500～800μm之間；再鍍銀，其厚度控制在120～150μm之間；

或者，所述步驟二為：在各所述電鍍區：先覆銅，其厚度控制在500～800μm之間；再鍍鎳，其厚度控制在200～250μm之間；最后鍍銀，其厚度控制在120～150μm之間。

進一步地，所述步驟二中，在所述環氧絕緣板的邊緣部鍍有對刀位，所述對刀位為兩條切割道。

進一步地，所述步驟三中的注塑為從環氧絕緣板的背面通過第一通孔將熔融的塑料澆注到環氧絕緣板的主面。

本發明提供的小功率TOP?LED支架的制作工藝的有益效果在于：與現有?技術相比，本工藝中采用環氧絕緣板代替金屬基板，只需鉆孔、電鍍和注塑三步，免去了金屬板沖切工藝，降低了加工難度，在量產能力上進一步的得到保證；在環氧絕緣板和塑料均為合成樹脂材料，其物理性能更為相近，相互結合粘連性、氣密性更好；同時環氧絕緣板的成本更低，加之工藝成本也較低，故可以大大降低支架的生產成本。

本發明還提供一種采用上述所述的制作工藝制成小功率TOP?LED支架，包括一基板，所述基板具有一主面和一背面，其特征在于，所述基板為環氧絕緣板，所述環氧絕緣板上設有至少一個連接孔；在所述主面及背面的部分區域鍍有通過所述連接孔連接的用于導電和導熱的金屬層；所述主面上所述金屬層區域中留有至少一道間隙；在所述主面注塑有至少一個塑料反射杯。

進一步地，所述環氧絕緣板為FR-4材料或者CEM-3材料。

進一步地，所述塑料反射杯的杯口為方形、杯底為圓形，其內壁自杯口從上至下由方形漸變為圓形。

進一步地，所述金屬層為一復合金屬層，從內到外依次為銅層、銀層，所述銅層的厚度為500～800μm，所述銀層的厚度為120～150μm；

或者，從內到外依次為銅層、鎳層、銀層，所述銅層的厚度為500～800μm，所述鎳層的厚度為200～250μm，所述銀層的厚度為120～150μm。