[發明專利]小功率TOP LED支架制作工藝及其產品和LED模組無效
| 申請號: | 201110061451.2 | 申請日: | 2011-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN102163663A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發明(設計)人: | 羅錦長 | 申請(專利權)人: | 深圳市瑞豐光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/64;H01L25/075;C25D5/02;C25D5/10;C25D7/00 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 top led 支架 制作 工藝 及其 產品 模組 | ||
1.一種小功率TOP?LED支架制作工藝,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一,對環氧絕緣板進行裁板和鉆第一通孔;
步驟二,在環氧絕緣板的主面上和背面上劃分出多個電鍍區,將所述電鍍區進行電鍍,電鍍完成后,主面的各電鍍區之間具有間隙;
步驟三,在環氧絕緣板的主面上劃分出注塑區,在所述注塑區上注塑塑料反射杯。
2.根據權利要求1所述的小功率TOP?LED支架制作工藝,其特征在于,所述步驟一還包括鉆用于定位的第二通孔,所述第二通孔的孔徑控制在1.4~1.6mm之間,所述第一通孔的孔徑控制在0.78~0.82mm之間。
3.根據權利要求1所述的小功率TOP?LED支架制作工藝,其特征在于,所述步驟二為:在各所述電鍍區:先覆銅,其厚度控制在500~800μm之間;再鍍銀,其厚度控制在120~150μm之間;
或者,所述步驟二為:在各所述電鍍區:先覆銅,其厚度控制在500~800μm之間;再鍍鎳,其厚度控制在200~250μm之間;最后鍍銀,其厚度控制在120~150μm之間。
4.根據權利要求1至3任一項所述的小功率TOP?LED支架制作工藝,其特征在于,所述步驟二中,在所述環氧絕緣板的邊緣部鍍有對刀位,所述對刀位為兩條切割道。
5.根據權利要求1至3任一項所述的小功率TOP?LED支架制作工藝,其特征在于,所述步驟三中的注塑為從環氧絕緣板的背面通過第一通孔將熔融的塑料澆注到環氧絕緣板的主面。
6.一種采用權利要求1至5任一項所述的制作工藝制成的小功率TOP?LED支架,包括一基板,所述基板具有一主面和一背面,其特征在于,所述基板為環氧絕緣板,所述環氧絕緣板上設有至少一個連接孔;在所述主面及背面的部分區域鍍有通過所述連接孔連接的用于導電和導熱的金屬層,所述主面上所述金屬層區域中留有至少一道間隙;在所述主面注塑有至少一個塑料反射杯。
7.根據權利要求6所述的小功率TOP?LED支架,其特征在于,所述環氧絕緣板為FR-4材料或者CEM-3材料。
8.根據權利要求6所述的小功率TOP?LED支架,其特征在于,所述塑料反射杯的上口為方形、下底為圓形,其內壁自杯口從上至下由方形漸變為圓形。
9.根據權利要求6所述的小功率TOP?LED支架,其特征在于,所述金屬層為一復合金屬層,從內到外依次為銅層、銀層,所述銅層的厚度為500~800μm,所述銀層的厚度為120~150μm;
或者,從內到外依次為銅層、鎳層、銀層,所述銅層的厚度為500~800μm,所述鎳層的厚度為200~250μm,所述銀層的厚度為120~150μm。
10.一種LED模組,包括LED支架和LED管芯,所述LED管芯封裝于所述LED支架之上,其特征在于,所述LED支架為權利要求6至10任一項所述的小功率TOP?LED支架。
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