[發明專利]高透型低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

無效

• 申請號: 201110060562.1
• 申請日: 2011-03-13
• 公開（公告）號: CN102180601A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 蔡焱森;路海泉
• 申請（專利權）人: 杭州春水鍍膜玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 金祺

技術領域

本發明涉及玻璃領域，特別涉及一種高透型低輻射鍍膜玻璃及其制備方法。

背景技術

中國專利CN2721633公開了一種特殊膜系的低輻射鍍膜玻璃，包括有玻璃基片，在玻璃基片上復合有五個膜層，第一膜層即底層為金屬氧化物膜層；第二膜層為金屬或合金阻擋層；第三膜層為金屬銀；第四膜層為金屬或合金阻擋層；第五膜層即表面層為金屬氧化物膜層。該結構可確保銀層不受氧氣影響，避免銀層被氧化，使得低輻射鍍膜玻璃的功能膜層之一即銀層能很好地起到作用，獲得穩定的低輻射功能。該低輻射鍍膜玻璃具有一定的抗氧化性能，膜層耐磨性能好，耐堿性能好，但是還存在耐酸性能略差的缺陷。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種光線透過率高、抗氧化性能好、膜層牢固度好、耐磨與耐酸堿性能好的高透型低輻射鍍膜玻璃及其制備方法。

為了解決上述技術問題，本發明提供一種高透型低輻射鍍膜玻璃，在玻璃基片的表面從下至上依次設置電介質層I、鎳鉻合金層I、銀層、鎳鉻合金層II和電介質層II；電介質層I與玻璃基片的表面相連；電介質層I和電介質層II均為氧化鋅的錫酸鹽層(即SnZnO₃層)。

作為本發明的高透型低輻射鍍膜玻璃的改進：玻璃基片的厚度為4～12mm。

作為本發明的高透型低輻射鍍膜玻璃的進一步改進：電介質層I、鎳鉻合金層I、銀層、鎳鉻合金層II和電介質層II的厚度依次為42～46nm、0.7～0.9nm、8～10nm、0.7～0.9nm和30～34nm。

本發明還同時提供了上述高透型低輻射鍍膜玻璃的制備方法，依次進行以下步驟：

1)、配制鍍層材料：

電介質層I和電介質層II采用錫和鋅混合的澆鑄圓柱型靶作為靶材，Zn∶Sn的重量比為＝50∶50；

鎳鉻合金層I和鎳鉻合金層II采用鎳鉻合金作為靶材，鎳∶鉻的重量比為80∶20；

銀層采用銀作為靶材；

2)、在平面磁控鍍膜機中，使本體真空壓力低于1.0×10^-5Torr，鍍膜室I～鍍膜室V內的濺射壓力為1.7×10^-3Torr～3.0×10^-3Torr；將玻璃基片分別依次進行以下操作：

①、將玻璃基片送入鍍膜室I內，在鍍膜室I內設置錫和鋅混合的澆鑄圓柱型靶，采用旋轉靶的方式，控制方式采用中頻電源濺射；將O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入鍍膜室I內；從而在玻璃基片上形成膜層厚度為42～46nm的ZnSnO₃層作為電介質層I；

②、將步驟①的所得物送入鍍膜室II內，在鍍膜室II內設置鎳鉻合金作為靶材，控制方式采用直流電源濺射；將Ar通入鍍膜室II內；從而在電介質層I上形成膜層厚度為0.7～0.9nm的鎳鉻合金層I；

③、將步驟②的所得物送入鍍膜室III內，在鍍膜室III內設置銀作為靶材，控制方式采用直流電源濺射；將Ar通入鍍膜室III內；從而在鎳鉻合金層I上形成膜層厚度為8～10nm的銀層(4)；

④、將步驟③的所得物送入鍍膜室IV內，在鍍膜室IV內設置鎳鉻合金作為靶材，控制方式采用直流電源濺射；將Ar通入鍍膜室IV內；從而在銀層上形成膜層厚度為0.7～0.9nm的鎳鉻合金層II；

⑤、將步驟④的所得物送入鍍膜室V內，在鍍膜室V內設置錫和鋅混合的澆鑄圓柱型靶，采用旋轉靶的方式，控制方式采用中頻電源濺射；將O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入鍍膜室V內；在鎳鉻合金層II上形成膜層厚度為30～34nm的ZnSnO₃層作為電介質層II。

ZnSnO₃在申請號為200910089738.9的專利中有相應告知。

本發明的高透型低輻射鍍膜玻璃具有以下優點：

1、本發明將常規用的錫和鋅兩個靶材合并為一個旋轉鋅錫靶，富氧濺射。該材料(旋轉鋅錫靶)具有沉積率高，價格便宜的特點，且SnZnO₃是很耐久的頂層材料。在膜層厚度相同的情況下，其具有較低的光線吸收率，可得到較高的光線透過率。

2、本發明的高透型低輻射鍍膜玻璃，可見光透過率控制在80％-83％，具有較高的遮陽系數(遮陽系數在0.6以上)。玻璃面和膜面的光學參數均控制在自然色(中性)顏色范圍內。

3、本發明的高透型低輻射鍍膜玻璃，反射率小于8％。

4、本發明的高透型低輻射鍍膜玻璃，以6mm透明玻璃作為玻璃基片，具體性能參數如下：