[發明專利]高透型低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

無效

• 申請號: 201110060562.1
• 申請日: 2011-03-13
• 公開（公告）號: CN102180601A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 蔡焱森;路海泉
• 申請（專利權）人: 杭州春水鍍膜玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 金祺

1.高透型低輻射鍍膜玻璃，其特征是：在玻璃基片(1)的表面從下至上依次設置電介質層I(2)、鎳鉻合金層I(3)、銀層(4)、鎳鉻合金層II(5)和電介質層II(6)；所述電介質層I(2)與玻璃基片(1)的表面相連；所述電介質層I(2)和電介質層II(6)均為氧化鋅的錫酸鹽層。

2.根據權利要求1所述的高透型低輻射鍍膜玻璃，其特征是：所述玻璃基片(1)的厚度為4～12mm。

3.根據權利要求1或2所述的高透型低輻射鍍膜玻璃，其特征是：所述電介質層I(2)、鎳鉻合金層I(3)、銀層(4)、鎳鉻合金層II(5)和電介質層II(6)的厚度依次為42～46nm、0.7～0.9nm、8～10nm、0.7～0.9nm和30～34nm。

4.如權利要求1～3中任意一種高透型低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征是依次進行以下步驟：

1)、配制鍍層材料：

電介質層I(2)和電介質層II(6)采用錫和鋅混合的澆鑄圓柱型靶作為靶材，所述Zn∶Sn的重量比為＝50∶50；

鎳鉻合金層I(3)和鎳鉻合金層II(5)采用鎳鉻合金作為靶材，所述鎳∶鉻的重量比為80∶20；

銀層(4)采用銀作為靶材；

2)、在平面磁控鍍膜機中，使本體真空壓力低于1.0×10^-5Torr，鍍膜室I～鍍膜室V內的濺射壓力為1.7×10^-3Torr～3.0×10^-3Torr；將玻璃基片(1)分別依次進行以下操作：

①、將玻璃基片(1)送入鍍膜室I內，在鍍膜室I內設置錫和鋅混合的澆鑄圓柱型靶，采用旋轉靶的方式，控制方式采用中頻電源濺射；將O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入鍍膜室I內；從而在玻璃基片(1)上形成膜層厚度為42～46nm的ZnSnO₃層作為電介質層I(2)；

②、將步驟①的所得物送入鍍膜室II內，在鍍膜室II內設置鎳鉻合金作為靶材，控制方式采用直流電源濺射；將Ar通入鍍膜室II內；從而在電介質層I(2)上形成膜層厚度為0.7～0.9nm的鎳鉻合金層I(3)；

③、將步驟②的所得物送入鍍膜室III內，在鍍膜室III內設置銀作為靶材，控制方式采用直流電源濺射；將Ar通入鍍膜室III內；從而在鎳鉻合金層I(3)上形成膜層厚度為8～10nm的銀層(4)；

④、將步驟③的所得物送入鍍膜室IV內，在鍍膜室IV內設置鎳鉻合金作為靶材，控制方式采用直流電源濺射；將Ar通入鍍膜室IV內；從而在銀層(4)上形成膜層厚度為0.7～0.9nm的鎳鉻合金層II(5)；

⑤、將步驟④的所得物送入鍍膜室V內，在鍍膜室V內設置錫和鋅混合的澆鑄圓柱型靶，采用旋轉靶的方式，控制方式采用中頻電源濺射；將O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入鍍膜室V內；從而在鎳鉻合金層II(5)上形成膜層厚度為30～34nm的ZnSnO₃層作為電介質層II(6)。