[發明專利]包括柔性基板或硬性基板的光電裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201110060216.3
• 申請日: 2011-03-14
• 公開（公告）號: CN102194921A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 明承燁
• 申請（專利權）人: 韓國鐵鋼株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/04
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 鄔玥;葛強

1.一種光電裝置的制造方法，其中，所述光電裝置包括基板、位于所述基板上的第一電極以及第二電極、位于所述第一電極以及所述第二電極之間的第一導電性半導體層、含第一子層以及第二子層的純半導體層以及第二導電性半導體層，該方法包括：

在多個工序腔室組中于第i個(i為1以上的自然數)工序腔室組內形成具有第一結晶體積分率的所述第一子層的步驟；

在所述多個工序腔室組中于第i+1個工序腔室組內形成與所述第一子層接觸且含晶硅粒子并具有大于所述第一結晶體積分率的第二結晶體積分率的第二子層的步驟。

2.根據權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其中，所述光電裝置包括基板、位于所述基板上的第一電極以及第二電極、位于所述第一電極以及所述第二電極之間的第一導電性半導體層、純半導體層以及第二導電性半導體層，該方法包括：

在所述純半導體層的第一子層形成期間，形成第一子層所需的第一工序條件在多個工序腔室組中于第i個(i為1以上的自然數)工序腔室組內保持的步驟；

在含晶硅粒子且與所述第一子層接觸的純半導體層的第二子層形成期間，與所述第一工序條件不同的第二工序條件在第i+1個工序腔室組內保持的步驟。

3.根據權利要求1或2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述工序腔室組包括一個以上的工序腔室。

4.根據權利要求1或2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述基板為柔性基板。

5.根據權利要求2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述第一工序條件以及所述第二工序條件包括流入工序腔室組的氫氣和含硅氣體的氫稀釋比、工序腔室組的供電電壓頻率、工序腔室組內的溫度、流入工序腔室組的含非硅系元素的氣體流量、等離子放電功率之一。

6.根據權利要求1或2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：流入所述第i個工序腔室組的氫氣和含硅氣體的氫稀釋比小于流入所述第i+1個工序腔室組的氫氣和含硅氣體的氫稀釋比。

7.根據權利要求6所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：流入所述第i個以及第i+1個工序腔室組的氫氣流量保持在恒定的水平。

8.根據權利要求6所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述第i個工序腔室組內的工序壓力大于所述第i+1個工序腔室組內部的工序壓力。

9.根據權利要求1或2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述第i個工序腔室組的供電電壓頻率低于所述第i+1個工序腔室組的供電電壓頻率。

10.根據權利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述第i個工序腔室組的所述供電電壓頻率為13.56MHz以上，所述第i+1個工序腔室組的所述供電電壓頻率為27.12MHz以上。

11.根據權利要求1或2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述第i個工序腔室組的溫度高于所述第i+1個工序腔室組的溫度。

12.根據權利要求1或2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述第i個工序腔室組的等離子放電功率高于所述第i+1個工序腔室組的等離子放電功率。

13.根據權利要求5所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述非硅系元素為氧、碳、氮或鍺。

14.根據權利要求1或2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：流入所述第i個工序腔室組的含非硅系元素的氣體流量大于流入所述第i+1個工序腔室組的含非硅系元素的氣體流量。

15.根據權利要求1或2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：流入形成所述第一子層和第二子層的工序腔室組內的含非硅系元素的流量保持在恒定的水平；

流入形成所述第二子層的工序腔室組的氣體流量小于流入形成所述第一子層的工序腔室組的氣體流量；且

按照離光的入射面越近光學能隙越大的方式形成所述第一子層或所述第二子層。

16.根據權利要求15所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：

在所述基板上依次層積n型半導體層、所述純半導體層以及p型半導體層；

所述氣體包括氧、碳或氮；

流入所述第i個工序腔室組的氣體流量小于流入所述第i+2個工序腔室組的氣體流量。