[發明專利]包括柔性基板或硬性基板的光電裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201110060216.3
• 申請日: 2011-03-14
• 公開（公告）號: CN102194921A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 明承燁
• 申請（專利權）人: 韓國鐵鋼株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/04
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 鄔玥;葛強

技術領域

本發明涉及一種包括柔性基板或硬性基板的光電裝置及其制造方法。

背景技術

近年來，隨著石油、煤炭等傳統能源逐漸枯竭，社會各界越來越關注替代能源的研究。其中，太陽能由于其資源豐富，不存在環境污染的問題，備受關注。

將太陽能直接轉換成電能的裝置就是光電裝置，即太陽能電池。光電裝置主要利用半導體接合的光電現象。即，光入射分別摻雜p型和n型不純物質的半導體pin接合并被吸收時，光能在半導體內部產生電子和空穴，在內部電場的作用下產生分離，在pin接合兩端產生光電。此時，如果在接合兩端形成電極并連接導線，則可以通過電極和導線電流流向外部。

為了使太陽能代替石油等傳統能源，需要降低隨著時間的經過出現的光電裝置的劣化率，提高穩定化效率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種用來形成穩定子層的光電裝置及光電裝置的制造方法。

本發明要解決的技術課題不限于所述記載的內容，本發明所屬技術領域的普通技術人員都可以通過下面的說明，理解以上未涉及到的其他技術課題。

在本發明的光電裝置的制造方法中，在多個工序腔室組中的第i個(i是1以上的自然數)工序腔室組中包括形成具有第一結晶體積分率的第一子層的步驟，在所述多個工序腔室組的第i+1個工序腔室組中包括形成第二子層的步驟，所述第二子層與所述第一子層接觸，并包括晶硅粒子，且具有比所述第一結晶體積分率大的第二結晶體積分率。

本發明的光電裝置的制造方法包括下述步驟：在形成純半導體層的所述第一子層形成期間，用來形成所述第一子層的第一工序條件在多個工序腔室組中的第i個(i是1以上的自然數)工序腔室組中保持；在形成包括晶硅粒子、且與所述第一子層接觸的所述純半導體層的第二子層期間，與所述第一工序條件不同的第二工序條件在第i+1個工序腔室組中保持。

本發明的光電裝置包括：基板；位于所述基板上的第一電極以及第二電極；位于所述第一電極以及所述第二電極之間的多個光電轉換層，所述多個光電轉換層中離光照射側最近的光電轉換層的純半導體層包括由非晶硅物質組成的第一子層以及包括晶硅粒子的第二子層。

本發明的光電裝置包括：基板；位于所述基板上的第一電極和第二電極；位于所述第一電極和所述第二電極之間的多個光電轉換層。所述多個光電轉換層中離光最先照射到的光電轉換層相鄰的光電轉換層的純半導體層包括含鍺的第一子層和由非晶硅組成或具有比第一子層的結晶體積分率大的結晶體積分率的第二子層。

根據本發明能夠使各工序腔室組的工序條件保持恒定，由此能夠形成穩定的子層，且能夠形成含有晶硅粒子的子層。

附圖說明

圖1a至圖1c表示根據本發明實施方式的光電裝置的制造方法中可使用的系統；

圖2表示根據本發明實施方式制造的純半導體層；

圖3表示含氫氣和硅的氣體流量變化；

圖4表示供給光電裝置的制造系統的電壓頻率變化；

圖5表示光電裝置的制造系統的溫度變化；

圖6表示光電裝置的等離子放電量的變化；

圖7a至圖7e表示含非硅元素的氣體流量變化；

圖8a及圖8b表示根據本發明實施方式的光電裝置；

圖9表示僅由原晶硅組成的純半導體層；

圖10表示根據本發明實施方式的光電裝置子層的整理表。

附圖標號說明

100a，100b：基板

110a，110b，110c：第一電極

120a，120b，120c：第一導電性半導體層

130a，130b，130c：純半導體層

140a，140b，140c：第二導電性半導體層

150a，150b，150c：第二電極

E1，L1，I0～I4，E2，L2，E2：工序腔室以及工序腔室組

PVL1，PVL2，PVL3：光電轉換層

具體實施方式

下面結合附圖詳細說明根據本發明實施例的光電裝置的制造方法。

圖1a至圖1c為本發明實施例的光電裝置的制造方法中可使用的系統。

圖1a為卷對卷(roll?to?roll)方式的光電裝置的制造系統，圖1b為輥式步進(stepping?roll)方式的光電裝置的制造系統。圖1c為連續(in-line)方式的光電裝置的制造系統。

如圖1a至圖1c所示，各系統包括用來形成純半導體層的多個工序腔室組(I0～I4。圖1a至圖1c的工序腔室組雖只包括一個工序腔室，但是也可以包括兩個以上的工序腔室。并且，各工序腔室組內所包括的工序腔室數量可以相同，也可以不同。