[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110058560.9
• 申請日: 2011-03-08
• 公開（公告）號: CN102194932A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 鄭泳奎;樸徑旭;宋俊午;崔光基;宋大正
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/36;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陸弋;王偉

相關申請的交叉引用

本申請要求2010年3月08日提交的韓國專利申請No.10-2010-0020485的優先權，該韓國申請的全部內容在此通過引用的方式并入。

技術領域

本發明涉及一種發光器件及其制造方法。

背景技術

發光二極管(LED)是一種將電能轉換為光的半導體器件。與諸如熒光燈或輝光燈的傳統光源相比，LED在功耗、壽命、響應速度、安全性、以及環保要求方面是有利的。在此方面，已經進行了各種研究來用LED代替傳統光源。LED正日益用作諸如各種燈、液晶顯示器、電子標識牌、以及街燈等的照明裝置的光源。

發明內容

實施例提供了一種能夠提高可靠性的發光器件及其制造方法。

實施例提供了一種能夠防止發光結構損壞(例如破裂)的發光器件及其制造方法。

實施例提供了一種能夠提高發光效率的發光器件及其制造方法。

根據實施例，制造發光器件的方法包括以下步驟：在襯底上形成化合物半導體層，該襯底包括芯片區域和隔離區域；選擇性地蝕刻該化合物半導體層，以在芯片區域上形成發光結構并在隔離區域上形成緩沖結構；在發光結構和緩沖結構上形成導電支撐構件；通過使用激光剝離工藝來移除所述襯底；以及對導電支撐構件進行分割，以形成芯片區域的多個芯片，其中，所述緩沖結構與發光結構間隔開。

根據實施例，發光器件包括：導電支撐構件；芯片區域，所述芯片區域限定所述導電支撐構件上的發光結構；隔離區域，該隔離區域位于導電支撐構件上的多個芯片區域之間；以及至少一個緩沖結構，該至少一個緩沖結構位于所述隔離區域處，其中，所述發光結構和緩沖結構包括第一導電半導體層、有源層、以及第二導電半導體層。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施例的發光器件的截面圖；

圖2A至圖2C是示出圖1的發光器件的平面圖；

圖3至圖10是示出根據第一實施例的發光器件的制造過程的截面圖；

圖11是示出根據第二實施例的發光器件的截面圖；

圖12是示出根據實施例的包括發光器件的、發光器件封裝的截面圖；

圖13是示出根據實施例的顯示裝置的分解透視圖；

圖14是示出根據實施例的顯示裝置的視圖；并且

圖15是示出根據實施例的照明單元的透視圖。

具體實施方式

在實施例的描述中，應當理解，當一個層(或膜)、區域、圖案、或結構被稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區域、另一墊、或另一圖案“上”或“下”時，它可以“直接”或“間接”位于另一襯底、層(或膜)、區域、墊、或圖案上，或者也可以存在有一個或多個中間層。已經參考附圖描述了層的這種位置。

出于方便或清楚的目的，附圖所示的每一層的厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意性繪制。另外，元件的尺寸并不完全反映真實尺寸。

圖1是示出根據第一實施例的發光器件100的截面圖，而圖2A至圖2C是示出圖1的發光器件100的平面圖。

參考圖1和圖2，根據第一實施例的發光器件100包括：導電支撐構件160；發光結構120，該發光結構120形成在導電支撐構件160上以產生光；以及至少一個緩沖結構180，該緩沖結構180形成在導電支撐構件160上，使得該緩沖結構180與發光結構120隔開一段預定距離d，并且防止發光結構120在發光器件100的制造過程中損壞。

發光結構120包括：第一粘附層158；反射層157，該反射層157位于第一粘附層158上；擴散阻擋層159，該擴散阻擋層159位于第一粘附層158和反射層157的側表面處；多個化合物半導體層145，所述多個化合物半導體層145形成在反射層157上以發射光；以及電極170，該電極170形成在化合物半導體層145上，以與導電支撐構件160一起將電力供應到發光結構120。電極170可以包括至少一個電極焊盤。另外，電極170可以具有臂電極結構。緩沖結構180和發光結構120可以具有由相同的層堆疊而成的堆疊結構或具有相同高度。

至少一個緩沖結構180可以與發光結構120的側表面隔開一段預定距離d。

例如，距離d可以在大約5μm至大約50μm的范圍內。另外，緩沖結構180的寬度w1可以在大約5μm至大約50μm的范圍內。然而，該距離d和寬度w1可以根據發光器件100的設計而變化，本實施例不限于此。