[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110058560.9 | 申請(qǐng)日： | 2011-03-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102194932A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭泳奎;樸徑旭;宋俊午;崔光基;宋大正 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/36;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 陸弋;王偉 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造發(fā)光器件的方法，包括：
在襯底上形成化合物半導(dǎo)體層，所述襯底包括芯片區(qū)域和隔離區(qū)域；
選擇性地蝕刻所述化合物半導(dǎo)體層，以在所述芯片區(qū)域上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)并在所述隔離區(qū)域上形成緩沖結(jié)構(gòu)；
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述緩沖結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電支撐構(gòu)件；
通過(guò)使用激光剝離工藝來(lái)移除所述襯底；以及
對(duì)所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件進(jìn)行分割，以形成所述芯片區(qū)域的多個(gè)芯片，
其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)間隔開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)包括與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的邊緣區(qū)域間隔開(kāi)的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)包括與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面及邊緣區(qū)域間隔開(kāi)的多個(gè)結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)包括沿著所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面平行地連續(xù)形成的一個(gè)結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述緩沖結(jié)構(gòu)包括相同的層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟：
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上形成保護(hù)層；以及
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)位于與所述隔離區(qū)域的寬度的1/2相對(duì)應(yīng)的區(qū)域處。
8.一種發(fā)光器件，包括：
導(dǎo)電支撐構(gòu)件；
芯片區(qū)域，所述芯片區(qū)域限定所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上的發(fā)光結(jié)構(gòu)；
隔離區(qū)域，所述隔離區(qū)域位于所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上的所述芯片區(qū)域之間；以及
至少一個(gè)緩沖結(jié)構(gòu)，所述至少一個(gè)緩沖結(jié)構(gòu)位于所述隔離區(qū)域處，
其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述緩沖結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的邊緣區(qū)域間隔開(kāi)，并且所述緩沖結(jié)構(gòu)彼此分開(kāi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面及邊緣區(qū)域間隔開(kāi)，并且所述緩沖結(jié)構(gòu)沿著所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面形成在一條直線上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述緩沖結(jié)構(gòu)之間的距離在5μm至50μm的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)的寬度在5μm至30μm的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)還包括第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、所述有源層以及所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的側(cè)表面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述緩沖結(jié)構(gòu)還包括：
第一粘附層，所述第一粘附層位于所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上；
第二粘附層，所述第二粘附層位于所述第一粘附層上；
反射層，所述反射層位于所述第二粘附層上；以及
擴(kuò)散阻擋層，所述擴(kuò)散阻擋層位于所述第二粘附層及所述反射層的側(cè)表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，還包括第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層位于所述緩沖結(jié)構(gòu)及所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)位于與所述隔離區(qū)域的寬度的1/2相對(duì)應(yīng)的區(qū)域處。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其中，所述隔離區(qū)域的寬度在5μm至100μm的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述緩沖結(jié)構(gòu)與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面及邊緣區(qū)域間隔開(kāi)，并且所述緩沖結(jié)構(gòu)彼此一體形成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于LG伊諾特有限公司，未經(jīng)LG伊諾特有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110058560.9/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：具有稀釋混合功能的沉降槽
- 下一篇：一次性尿布
- 同類專利
- 專利分類
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過(guò)程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
