[發明專利]電光裝置以及電子設備

有效

• 申請號: 201110058400.4
• 申請日: 2011-03-10
• 公開（公告）號: CN102193262A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 森脅稔;安川昌宏;脅田賢
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G03B21/00;H01L27/12;G09F9/30
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;劉薇

技術領域

本發明涉及例如液晶裝置等電光裝置、具備該電光裝置的例如液晶投影機等電子設備以及該電光裝置的制造方法的技術領域。

背景技術

作為這種電光裝置，存在例如在基板上具備像素電極、用于進行該像素電極的選擇性驅動的掃描線、數據線以及像素開關用的TFT(薄膜晶體管)并進行有源矩陣驅動的裝置。TFT等開關元件和各種布線在基板上形成為疊層構造。

在上述的電光裝置中，通過在疊層構造上形成保持電容，謀求降低顯示圖像中的黑色不均勻(即，提高對比度)和防止像素的壽命降低。例如，在專利文獻1中，提出了通過隔著電解質膜相對配置包含氧化膜的兩個電極來實現耐壓性能優異的保持電容的技術。

[專利文獻1]特開2005-55661號公報

在作為開關元件使用的TFT中，例如當裝置工作時，在從光源投射的光源光由于反射等入射時，發生光漏電流。光漏電流由于有可能成為裝置異常的原因，因此，希望TFT的遮光性能盡可能高。

但是，在專利文獻1的技術中，在TFT的上層一側存在的層由于是構成保持電容的氧化膜的電極層，因此，TFT的遮光性能不能說絕對充分。即，在上述的技術中，存在不能可靠地防止TFT中光漏電流的發生的技術問題。

發明內容

本發明正是鑒于例如上述的問題而提出的，其目的是提供具有高密度的保持電容并且能夠實現對TFT的高遮光性能的電光裝置和電子設備以及電光裝置的制造方法。

為了解決上述問題，本發明的第1電光裝置包括：像素電極，其在基板上對每個像素設置；晶體管，其在上述基板和上述像素電極之間與上述像素電極對應地設置；第1電容電極，其被設置在上述像素電極和上述晶體管之間，并與上述像素電極和上述晶體管電氣連接；第2電容電極，其在上述像素電極和上述第1電容電極之間隔著電容絕緣膜與上述第1電容電極相對配置，并被提供規定的電位；以及遮光膜，其被設置成在上述像素電極和上述第2電容電極之間至少與上述晶體管部分重疊，并經由在配置在該遮光膜與上述第2電容電極之間的絕緣膜上開孔的接觸孔與上述第2電容電極電氣連接。

本發明的第1電光裝置例如在設置有像素電極以及與該像素電極電氣連接的作為像素開關用TFT等的晶體管的元件基板和設置有與像素電極相對的對置電極的對置基板之間夾持液晶等電光物質。在該電光裝置工作時，通過有選擇地向像素電極提供圖像信號，進行在排列有多個像素電極的像素區域(或者圖像顯示區域)中的圖像顯示。另外，例如通過對在數據線和像素電極間電氣連接的晶體管進行開關，將圖像信號在規定的定時從數據線提供給像素電極。

在本發明的第1電光裝置中，第1電容電極與像素電極以及在基板和像素電極之間設置的晶體管電氣連接。具體地，第1電容電極被設置在像素電極和晶體管之間，例如，晶體管的漏極區域和第1電容電極經由接觸孔和中繼層電氣連接，并且第1電容電極和像素電極經由另一個接觸孔和中繼層電氣連接。即，第1電容電極對像素電極和晶體管的電氣導通進行中繼。

在第1電容電極的上層一側，第2電容電極隔著電容絕緣膜相對配置。向該第2電容電極經由以后說明的遮光膜提供規定的電位。由此，第2電容電極被設置成恒定電位。因此，以夾持電容絕緣膜的方式配置的第1電容電極和第2電容電極被構成為暫時保持像素電極的電位的保持電容。

在第2電容電極和像素電極之間，在與晶體管至少部分重疊的位置處設置有遮光膜。遮光膜被形成為例如包含具有比第1電容電極和第2電容電極更高的遮光性能的材料，遮擋相對于晶體管從上層一側入射的光。此外，遮光膜被設置成與第2電容電極電氣連接。遮光膜例如在形成在第2電容電極的上層的層間絕緣膜上形成，并經由在層間絕緣膜上形成的接觸孔與第2電容電極電氣連接。向遮光膜經由電容線等提供規定的電位，如上所述，該規定的電位經由遮光膜提供給第2電容電極。

在此，假設如果沒有設置上述的遮光膜，則如果對于晶體管入射了不應當入射的光，就可能發生光漏電流。該光漏電流成為裝置誤操作的原因。

然而，在本發明中，特別地，由于利用遮光膜而使對晶體管的遮光性能提高，因此，能夠防止光漏電流的發生，能夠實現可靠性高的裝置。另外，典型地，第1電容電極和第2電容電極被形成為也包含具有遮光性的材料，并具有作為用于提高對晶體管的遮光性能的部件的功能，但是，即使在這種情況下，通過設置本發明的遮光膜也能夠進一步提高遮光性能。

如上所述，如果采用本發明的第1電光裝置，則可以由第1電容電極和第2電容電極形成保持電容，并且能夠利用遮光膜實現對晶體管的高的遮光性能。