[發明專利]電光裝置以及電子設備有效
| 申請號： | 201110058400.4 | 申請日： | 2011-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN102193262A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發明（設計）人： | 森脅稔;安川昌宏;脅田賢 | 申請（專利權）人： | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G03B21/00;H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 陳海紅;劉薇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電光 裝置 以及 電子設備 | ||
1.一種電光裝置，其特征在于，包括：
像素電極，其在基板上對每個像素設置；
晶體管，其在上述基板和上述像素電極之間與上述像素電極對應地設置；
第1電容電極，其被設置在上述像素電極和上述晶體管之間，并與上述像素電極和上述晶體管電氣連接；
第2電容電極，其在上述像素電極和上述第1電容電極之間隔著電容絕緣膜與上述第1電容電極相對配置，并被提供規定的電位；以及
遮光膜，其被設置為在上述像素電極和上述第2電容電極之間與上述晶體管至少部分地重疊，并經由在配置在該遮光膜與上述第2電容電極之間的絕緣膜上開孔的接觸孔與上述第2電容電極電氣連接。
2.一種電光裝置，其特征在于，包括：
像素電極，其在基板上對每個像素設置；
晶體管，其在上述基板和上述像素電極之間與上述像素電極對應地設置；
第1電容電極，其被設置在上述像素電極和上述晶體管之間，并與上述像素電極和上述晶體管分別電氣連接；
第2電容電極，其在上述像素電極和上述第1電容電極之間隔著第1電容絕緣膜與上述第1電容電極相對配置，并被提供規定的電位；以及
遮光膜，其被設置為在上述像素電極和上述第2電容電極之間與上述晶體管至少部分地重疊，并且相對于上述第2電容電極隔著第2電容絕緣膜相對地配置，并經由在配置在該遮光膜與上述像素電極之間的絕緣膜上開孔的接觸孔與上述像素電極電氣連接。
3.根據權利要求1或者2所述的電光裝置，其特征在于，上述遮光膜在上述基板上，從平面看，被設置在比設置有上述第2電容電極的區域更內側的區域。
4.根據權利要求1至3任意一項所述的電光裝置，其特征在于，上述第2電容電極在表面形成氧化膜。
5.根據權利要求1至4任意一項所述的電光裝置，其特征在于，
上述晶體管以夾著溝道層的方式具有LDD區域；
上述第2電容電極和上述遮光膜經由被設置成與上述晶體管的上述像素電極一側的上述LDD區域至少部分重疊的接觸孔，彼此電氣連接。
6.根據權利要求1至5任意一項所述的電光裝置，其特征在于，上述規定的電位是提供給隔著電光物質與上述像素電極相對配置的對置電極的對置共用電位。
7.根據權利要求1至6任意一項所述的電光裝置，其特征在于，上述第1電容電極經由設置在與上述晶體管的柵極電極同一層的中繼層與上述像素電極電氣連接。
8.一種電子設備，其特征在于，具備權利要求1至7任意一項所述的電光裝置。
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