[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110056957.4
• 申請日: 2011-03-01
• 公開（公告）號: CN102194863A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 脅本博樹;井口研一;吉川功;中島經(jīng)宏;田中俊介;荻野正明
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)控股株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/306;H01L21/78
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張政權(quán)

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

正面元件結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在第一導(dǎo)電類型襯底的第一主面上；

第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)，其在所述襯底的第一主面上設(shè)置在一元件的端部處；

凹部，其從所述襯底的第二主面延伸至所述第一半導(dǎo)體區(qū)；以及

第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)，其設(shè)置在所述襯底的第二主面上且與所述第一半導(dǎo)體區(qū)電連接，

其中所述第一半導(dǎo)體區(qū)包括至少一個解理面，所述至少一個解理面將所述凹部的底部和側(cè)壁之間的邊界作為其一條邊。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第一半導(dǎo)體區(qū)與作為襯底的第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)相鄰，以及

第一半導(dǎo)體區(qū)中的從所述解理面到正面元件結(jié)構(gòu)的一部分中所包括的雜質(zhì)的量被設(shè)置成使從所述第三半導(dǎo)體區(qū)延伸至第一半導(dǎo)體區(qū)中的耗盡層不到達(dá)所述解理面。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

雜質(zhì)的總量大于或等于1.2×10¹²/cm²。

4.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在第一導(dǎo)電類型的晶片的第一主面上形成第二導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)；

在所述晶片的第一主面上形成正面元件結(jié)構(gòu)；

形成從所述晶片的第二主面延伸至所述第一半導(dǎo)體區(qū)的凹部；

在所述晶片的第二主面上形成第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)，并使其電連接至所述第一半導(dǎo)體區(qū)；以及

去除所述第一半導(dǎo)體區(qū)的一部分并將所述晶片切割成芯片，

其中在去除工序中，所述第一半導(dǎo)體區(qū)被去除，使得所述第一半導(dǎo)體區(qū)的切割面相對于所述晶片的第一主面傾斜。

5.如權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，

在去除時，所述第一半導(dǎo)體區(qū)被形成為包括至少一個解理面，其將所述凹部的底部和側(cè)壁之間的邊界作為一條邊。

6.如權(quán)利要求4或5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，

在去除工序中，通過將刀片下移至所述第一半導(dǎo)體區(qū)的第一主面、并且當(dāng)所述刀片的邊緣至少向下從所述凹部伸出時停止所述刀片的下移，來切割所述晶片。

7.如權(quán)利要求4或5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，

在去除工序中，通過將第一激光束發(fā)射至所述第一半導(dǎo)體區(qū)的表面從而所述第一激光束的直徑隨著距離所述第一半導(dǎo)體區(qū)的表面的深度增大而逐漸減小，來切割所述晶片。

8.如權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，

在去除時，所述第一激光束的直徑沿著切割面逐漸減小以從所述第一半導(dǎo)體區(qū)的表面露出。

9.如權(quán)利要求4或5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，

在去除時，通過將第二激光束沿所述切割面發(fā)射至一深度以在所述第一半導(dǎo)體區(qū)中露出來使所輻照部分變性、并向所述晶片施加外力以沿變性部分切割所述第一半導(dǎo)體區(qū)，來切割晶片。

10.如權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，

在去除工序中，所述第二激光束的發(fā)射深度從第一半導(dǎo)體區(qū)的去除部分的端部向去除部分的中心逐漸增大。

11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

將施加到晶片表面上的抗蝕劑圖案化以形成掩模，在所述掩模中所述晶片的凹部的形成區(qū)域設(shè)置有開口；以及

使用堿性蝕刻劑以及所述掩模進(jìn)行蝕刻以在所述晶片中形成凹部，

其中所述掩模的隅角包括突入到形成有所述凹部的區(qū)域之上的凸部。

12.如權(quán)利要求11所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，

所述凸部具有一條邊的寬度為a₁的正方形，以及

當(dāng)所述凹部的深度為d時，等于寬度a₁一半的寬度a₂滿足a₂＝0.60d。

13.如權(quán)利要求11所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，

所述凸部具有半徑為a₃的圓形，以及

當(dāng)所述凹部的深度為d時，半徑a3滿足a₃＝0.81d。

14.如權(quán)利要求11至13中的任一項(xiàng)所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，

所述堿性蝕刻劑包括氫氧化四甲銨、硫酸氫銨和硅。