[發明專利]垂直互補場效應管

無效

• 申請號: 201110056548.4
• 申請日: 2011-03-09
• 公開（公告）號: CN102684485A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 黃勤
• 申請（專利權）人: 無錫維賽半導體有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155;H01L27/092;H01L29/06
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 余明偉

1.垂直互補場效應管，包括至少兩個MOS單元，其特征在于：還包括襯底層和設于襯底層上的中間層，該中間層與一個MOS單元對應處嵌有阱區，襯底層的PN極性與中間層相反，與阱區相同，所述的每個MOS單元包括一對PN同性電極和一個柵極，兩個MOS單元的電極PN極性相反，其中一對電極設于中間層上并能在柵極控制下在中間層形成導通溝道，另一對電極設于阱上并能在柵極控制下在阱中形成導通溝道，所述的襯底層局部延伸入中間層并形成位于兩個MOS單元之間的栓部，襯底層的下側設有導出端，當兩個MOS單元的柵極施加開通電壓后，形成MOS單元-栓部-襯底層-導出端的兩個導流通道。

2.根據權利要求1所述的垂直互補場效應管，其特征在于：所述的襯底為N+材料，中間層為P-材料，阱區為N-材料，位于中間層上的MOS單元兩個電極均為N+材料，而位于阱區的MOS單元兩個電極均為P+材料。

3.根據權利要求1所述的垂直互補場效應管，其特征在于：所述的襯底為P+材料，中間層為N-材料，阱區為P-材料，位于中間層上的MOS單元兩個電極均為P+材料，而位于阱區的MOS單元兩個電極均為N+材料。

4.垂直互補場效應管，包括至少兩個MOS單元，其特征在于：還包括襯底層和設于襯底層上的中間層，兩個MOS單元設于中間層上且共用一個電極，另兩個電極則作為兩個導入端，這三個電極的PN極性都相同且與中間層相反，所述的襯底層局部延伸入中間層形成栓部并與共用電極連通，襯底層的下側設有導出端，襯底層與電極的PN極性相同，當兩個MOS單元的柵極施加開通電壓后，形成導入端電極-共用電極-栓部-襯底層-導出端的兩個導流通道。

5.根據權利要求4所述的垂直互補場效應管，其特征在于：所述的襯底為N+材料，中間層為P-材料，位于中間層上的MOS單元兩個電極均為N+材料。

6.根據權利要求4所述的垂直互補場效應管，其特征在于：所述的襯底為P+材料，中間層為N-材料，位于中間層上的MOS單元兩個電極均為P+材料。

7.根據權利要求4所述的垂直互補場效應管，其特征在于：在所述MOS單元的漏電極和柵極間設置輕摻雜漏區，來有效提高芯片的擊穿電壓。