[發明專利]超級結半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110054890.0
• 申請日: 2011-03-07
• 公開（公告）號: CN102194700A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 矢嶋理子
• 申請（專利權）人: 富士電機系統株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/205;H01L29/78
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種超級結半導體器件的制造方法，其特征在于：

在高濃度的第一導電型半導體基板上，通過多次反復進行非摻雜外延生長、后續的第一導電型低摻雜外延生長、第一導電型雜質和第二導電型雜質的選擇性離子注入來進行堆疊，在主電流流動的元件活性部形成超級結構造部作為漂移層，該超級結構造部由具有在與所述半導體基板的主面相垂直的方向上較長的形狀且在與主面平行的方向上交替鄰接配置的第一導電型區域和第二導電型區域構成，在包圍該元件活性部的周邊耐壓構造部內，在通過所述非摻雜外延生長和所述選擇性離子注入形成的前半部分超級結構造部上，在通過所述第一導電型低濃度外延生長形成第一導電型低濃度外延層時，將所述第一導電型摻雜氣體在半導體源氣體之前向外延生長管線導入。

2.如權利要求1所述的超級結半導體器件的制造方法，其特征在于：

比半導體源氣體提前20秒向外延生長管線導入第一導電型摻雜氣體。

3.一種超級結半導體器件的制造方法，其特征在于，

在高濃度的第一導電型半導體基板上，通過多次反復進行非摻雜外延生長、后續的第一導電型低摻雜外延生長、第一導電型雜質和第二導電型雜質的選擇性離子注入來進行堆疊，在主電流流動的元件活性部形成超級結構造部作為漂移層，該超級結構造部由具有在與所述半導體基板的主面相垂直的方向上較長的形狀且在與主面平行的方向上交替鄰接配置的第一導電型區域和第二導電型區域構成，在包圍該元件活性部的周邊耐壓構造部內，在通過所述非摻雜外延生長和所述選擇性離子注入形成的前半部分超級結構造部上，在通過所述第一導電型低濃度外延生長形成第一導電型低濃度外延層時，使所述第一導電型低摻雜外延生長前的氫退火處理溫度和外延生長的開始溫度為不足1100℃。

4.如權利要求1所述的超級結半導體器件的制造方法，其特征在于：

在所述第一導電型低摻雜外延生長前的氫退火溫度和外延生長的開始溫度低于1000℃的情況下開始外延生長后，在1100℃以上進行外延生長。

5.一種超級結半導體器件的制造方法，其特征在于，

在高濃度的第一導電型半導體基板上，通過多次反復進行非摻雜外延生長、后續的第一導電型低摻雜外延生長、第一導電型雜質和第二導電型雜質的選擇性離子注入來進行堆疊，在主電流流動的元件活性部形成超級結構造部作為漂移層，該超級結構造部由具有在與所述半導體基板的主面相垂直的方向上較長的形狀且在與主面平行的方向上交替鄰接配置的第一導電型區域和第二導電型區域構成，在包圍該元件活性部的周邊耐壓構造部內，在通過所述非摻雜外延生長和所述選擇性離子注入形成的前半部分超級結構造部上，在通過所述第一導電型低濃度外延生長形成第一導電型低濃度外延層時，將所述第一導電型摻雜氣體在半導體源氣體之前向外延生長管線導入，并且，使所述第一導電型低摻雜外延生長前的氫退火溫度和外延生長的開始溫度為不足1100℃。