[發明專利]一種AlN/ZrN納米多層膜制備工藝

有效

• 申請號: 201110054870.3
• 申請日: 2011-03-08
• 公開（公告）號: CN102140620A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 宋忠孝;徐可為;田增瑞
• 申請（專利權）人: 西安宇杰表面工程有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.一種AlN/ZrN納米多層膜制備工藝，其特征在于：采用脈沖電源濺射Zr靶與Al靶，在N₂/Ar混合氣體中反應濺射獲得AlN層與ZrN層，通過改變各靶濺射功率調整和基體在靶前停留時間獲得AlN/ZrN納米多層膜。

2.如權利要求1所述一種AlN/ZrN納米多層膜制備工藝，其特征在于：該制備工藝采用以下步驟：

1)采用具有脈沖電源的磁控濺射設備；

2)將經過拋光和清洗后的基體安裝于真空室的可轉動基體架上；

3)真空達到2×10^-3Pa后通入Ar氣，分別采用脈沖電源對Zr靶和Al靶表面進行濺射清洗；

4)隨后對基體進行射頻等離子體清洗；

5)進行薄膜沉積：通入N₂/Ar混合氣體，分別調整Zr靶與Al靶濺射功率，同時結合改變基體轉動速度改變AlN單層與ZrN單層的厚度，交替濺射Zr靶與Al靶形成AlN/ZrN納米多層膜。

3.根據權利要求1或2所述的AlN/ZrN納米多層膜的制備工藝，其特征在于：N₂/Ar混合氣體中濺射氣壓為0.1～1Pa，N₂/Ar流量比為0.1～0.3。

4.根據權利要求2所述的AlN/ZrN納米多層膜的制備工藝，其特征在于：反應磁控濺射采用脈沖電源，對基體施加50-200V的負偏壓。

5.根據權利要求1或2所述的AlN/ZrN納米多層膜的制備工藝，其特征在于：Al靶功率為10W到40W之間調整，Al靶停留時間為1秒到6秒調整；Zr靶功率60W，Zr靶停留時間為10秒。