[發(fā)明專利]膜厚量測(cè)裝置及其校正方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110053410.9 | 申請(qǐng)日: | 2011-03-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102141698A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柯智勝;賀成明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/13 | 分類號(hào): | G02F1/13;G01B21/08 |
| 代理公司: | 廣東國(guó)暉律師事務(wù)所 44266 | 代理人: | 歐陽(yáng)啟明 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 膜厚量測(cè) 裝置 及其 校正 方法 | ||
1.一種膜厚量測(cè)裝置,其特征在于,包括:
至少兩個(gè)固定座,分別位于不同的校正位置,用于承載不同的校正片;
一承載機(jī)臺(tái),位于所述固定座的一側(cè),用于承載一待量測(cè)的基材,并且儲(chǔ)存當(dāng)前承載的基材的標(biāo)識(shí);以及
一量測(cè)頭,位于所述固定座與所述承載機(jī)臺(tái)上方,并從承載機(jī)臺(tái)接收所述基材的標(biāo)識(shí),并從保存的對(duì)應(yīng)關(guān)系中獲取該標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)的校正位置的參數(shù),所述對(duì)應(yīng)關(guān)系為標(biāo)識(shí)與校正位置的參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系,并移動(dòng)到獲取的參數(shù)所對(duì)應(yīng)的校正位置上方,量測(cè)位于該校正位置的固定座上的校正片的膜厚以實(shí)現(xiàn)校正。
2.如權(quán)利要求1所述的膜厚量測(cè)裝置,其特征在于:所述量測(cè)頭在校正后移動(dòng)到所述承載機(jī)臺(tái)的上方,量測(cè)當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的膜厚。
3.如權(quán)利要求2所述的膜厚量測(cè)裝置,其特征在于:所述量測(cè)頭在從保存的對(duì)應(yīng)關(guān)系中獲取標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)的校正位置的參數(shù)之前,進(jìn)一步儲(chǔ)存當(dāng)前承載基材的標(biāo)識(shí),并且判斷當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)與前一次承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)是否相同,若不相同,則執(zhí)行所述從保存的對(duì)應(yīng)關(guān)系中獲取標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)的校正位置的參數(shù)的步驟。
4.如權(quán)利要求3所述的膜厚量測(cè)裝置,其特征在于:所述量測(cè)頭在判定當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)與前一次承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)相同后,移動(dòng)到所述承載機(jī)臺(tái)的上方,量測(cè)當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的膜厚。
5.如權(quán)利要求4所述的膜厚量測(cè)裝置,其特征在于:所述量測(cè)頭在判定當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)與前一次承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)相同后,進(jìn)一步判斷自前一次校正開(kāi)始是否達(dá)到預(yù)定時(shí)間,若未達(dá)到,則量測(cè)頭移動(dòng)到所述承載機(jī)臺(tái)的上方,量測(cè)當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的膜厚。
6.一種膜厚量測(cè)裝置的校正方法,其特征在于:所述膜厚量測(cè)裝置包含至少兩個(gè)固定座、一承載機(jī)臺(tái)以及一量測(cè)頭,所述固定座分別位于不同的校正位置,用于承載不同的校正片;所述承載機(jī)臺(tái)位于所述固定座的一側(cè),用于承載一待量測(cè)的基材,并且儲(chǔ)存當(dāng)前承載的基材的標(biāo)識(shí);所述量測(cè)頭位于所述固定座與所述承載機(jī)臺(tái)上方,所述校正方法由所述量測(cè)頭執(zhí)行,包含下列步驟:
從承載機(jī)臺(tái)接收當(dāng)前承載基材的標(biāo)識(shí);
從保存的對(duì)應(yīng)關(guān)系中獲取該標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)的校正位置的參數(shù),所述對(duì)應(yīng)關(guān)系為標(biāo)識(shí)與校正位置的參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系;
移動(dòng)到獲取的參數(shù)所對(duì)應(yīng)的校正位置上方;以及
量測(cè)位于所述校正位置的固定座上的校正片的膜厚以實(shí)現(xiàn)校正。
7.如權(quán)利要求6所述的膜厚量測(cè)裝置的校正方法,其特征在于:在所述從保存的對(duì)應(yīng)關(guān)系中獲取標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)的校正位置的參數(shù)之前,進(jìn)一步包含下列步驟:
儲(chǔ)存當(dāng)前承載基材的標(biāo)識(shí);
判斷當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)與前一次承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)是否相同,若不相同,則執(zhí)行所述從保存的對(duì)應(yīng)關(guān)系中獲取標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)的校正位置的參數(shù)的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的膜厚量測(cè)裝置的校正方法,其特征在于:所述量測(cè)頭在判定當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)與前一次承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)相同后,移動(dòng)到所述承載機(jī)臺(tái)的上方,量測(cè)當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的膜厚。
9.如權(quán)利要求7所述的膜厚量測(cè)裝置的校正方法,其特征在于:所述量測(cè)頭在判定當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)與前一次承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的標(biāo)識(shí)相同后,進(jìn)一步判斷自前一次校正開(kāi)始是否達(dá)到預(yù)定時(shí)間,若未達(dá)到,則量測(cè)頭移動(dòng)到所述承載機(jī)臺(tái)的上方,量測(cè)當(dāng)前承載機(jī)臺(tái)所承載的基材的膜厚。
10.如權(quán)利要求9所述的膜厚量測(cè)裝置的校正方法,其特征在于:所述量測(cè)頭在判定自前一次校正開(kāi)始達(dá)到預(yù)定時(shí)間時(shí),執(zhí)行所述從保存的對(duì)應(yīng)關(guān)系中獲取標(biāo)識(shí)對(duì)應(yīng)的校正位置的參數(shù)的步驟。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
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