[發明專利]一種硅量子點的表面修飾改性方法有效
| 申請號： | 201110052410.7 | 申請日： | 2011-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN102173420A | 公開（公告）日： | 2011-09-07 |
| 發明（設計）人： | 葛介超;汪鵬飛;趙文文;劉衛敏;張洪艷 | 申請（專利權）人： | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號： | C01B33/021 | 分類號： | C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張文祎 |
| 地址： | 100190 北京市海淀區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 量子 表面 修飾 改性 方法 | ||
1.一種硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于：該方法是將硅量子點溶解于有機溶劑中，加入過氧化物；然后在無水無氧的條件下進行加熱反應，經純化后得到產品。
2.根據權利要求1所述的硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)將硅量子點溶解于有機溶劑中，然后加入過氧化物；
所述硅量子點和過氧化物的質量比為1∶30～300；
所述硅量子點∶有機溶劑＝3毫克∶2～6毫升；
2)在無水無氧條件下加熱至60～180℃，反應0.5～4小時；
3)將步驟2)得到的硅量子點進行純化，得到產品。
3.根據權利要求1或2所述的硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于：所述有機溶劑是苯、甲苯、二甲苯或二氯苯。
4.根據權利要求1或2所述的硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于：所述過氧化物是可以生成自由基的有機過氧化物。
5.根據權利要求4所述的硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于：所述有機過氧化物是過氧化丁二酸、過氧化二苯甲酰、過氧化月桂酸或二烷基過氧化物等。
6.根據權利要求2所述的硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于：所述硅量子點和過氧化物的質量比1∶100。
7.根據權利要求2所述的硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于：步驟2)中，加熱的溫度為120～150℃。
8.根據權利要求2所述的硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于：步驟2)中，反應時間為1～2小時。
9.根據權利要求2所述的硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于：步驟3)中，所述純化方法是萃取方法、透析方法或高速離心方法。
10.根據權利要求1或2所述的硅量子點的表面修飾改性方法，其特征在于：所述的硅量子點是通過電化學腐蝕的方法制備而得到的硅量子點。
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