[發(fā)明專利]像素結構及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110052295.3
• 申請日: 2011-03-02
• 公開（公告）號: CN102176098A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 林武雄;陳勃學;陳信學;沈光仁;葉家宏
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

技術領域

本發(fā)明涉及一種像素結構及其制造方法，且尤其涉及一種具有儲存電容的像素結構及其制造方法。

背景技術

由于顯示器的需求與日遽增，加上近年來綠色環(huán)保概念的興起，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(thin?film?transistor?liquid?crystal?display，TFT-LCD)已逐漸成為顯示器市場的主流。為了滿足使用者的需求，薄膜晶體管液晶顯示器的性能不斷朝向高對比(high?contrast?ratio)、無灰階反轉(no?gray?scale?inversion)、色偏小(little?color?shift)、高亮度(high?luminance)、高色彩豐富度、高色飽和度、快速反應、顯示畫面穩(wěn)定與廣視角等特性發(fā)展。

一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器主要由分別配置有像素陣列與彩色濾光陣列的兩基板以及配置于此兩基板間的液晶層所組成。圖1為現(xiàn)有的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結構的剖面圖。像素結構100包括薄膜晶體管110、像素電極120以及儲存電容下電極130。像素電極120電性連接薄膜晶體管110。儲存電容下電極130與像素電極120構成儲存電容，以維持像素結構100顯示影像的穩(wěn)定。

然而，現(xiàn)有此種儲存電容下電極130與薄膜晶體管110的柵極112是以相同的金屬層制作，而降低影響像素結構100的開口率(aperture?ratio)。若像素結構100應用于穿透式液晶顯示器時，則必須提高背光源的發(fā)光效能以維持適當?shù)娘@示亮度，如此將造成能源的耗費。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供所要解決的技術問題是提出一種像素結構，其具有儲存電容，且可維持良好的開口率。

本發(fā)明更提供一種前述像素結構的制作方法。

為具體描述本發(fā)明的內容，在此提出一種像素結構，包括一基板、一掃描線、一柵極、一柵絕緣層、一主動層、一阻擋層、一電容電極、一源極電極、一漏極電極、一數(shù)據(jù)線、一共享線、一保護層以及一像素電極。掃描線配置于基板上。柵極配置于基板上且電性連接掃描線。柵絕緣層配置于基板上且覆蓋柵極與掃描線。主動層配置于柵絕緣層上且對應位于柵極上方。主動層包括一源極區(qū)、一漏極區(qū)以及位于源極區(qū)與漏極區(qū)之間的一通道區(qū)，其中源極區(qū)與漏極區(qū)的片電阻小于通道區(qū)的片電阻。阻擋層配置于主動層的通道區(qū)上，且暴露出源極區(qū)與漏極區(qū)。電容電極配置于柵絕緣層上。源極電極位于柵絕緣層上，且源極電極電性連接主動層的源極區(qū)。漏極電極位于柵絕緣層上，且漏極電極電性連接主動層的漏極區(qū)。數(shù)據(jù)線配置于柵絕緣層上且電性連接源極電極。數(shù)據(jù)線的延伸方向與掃描線的延伸方向相交。共享線配置于柵絕緣層上且連接電容電極。保護層配置于柵絕緣層上。保護層覆蓋主動層、阻擋層、電容電極、源極電極、漏極電極、數(shù)據(jù)線以及共享線，且保護層具有一接觸窗暴露出漏極電極。像素電極配置于保護層上。像素電極經由接觸窗電性連接至該漏極電極。

在本發(fā)明之一實施例中，共享線的延伸方向實質上平行于數(shù)據(jù)線的延伸方向

在本發(fā)明之一實施例中，源極電極與漏極電極覆蓋局部的主動層，而共享線覆蓋局部的電容電極。

在本發(fā)明之一實施例中，主動層覆蓋局部的源極電極與局部的漏極電極，而電容電極覆蓋局部的共享線。

在此更提出一種像素結構的制作方法，包括下列步驟：提供一基板；形成一第一圖案化金屬層于基板上，第一圖案化金屬層包括一掃描線以及一柵極，柵極電性連接掃描線；形成一柵絕緣層于基板上，柵絕緣層覆蓋柵極與掃描線；形成一圖案化半導體層于柵絕緣層上，圖案化半導體層包括一主動層以及一電容電極，其中主動層對應位于柵極上方，且主動層包括一源極區(qū)、一漏極區(qū)以及位于源極區(qū)與漏極區(qū)之間的一通道區(qū)；形成一阻擋層于主動層的通道區(qū)上，且阻擋層暴露出源極區(qū)與漏極區(qū)；以阻擋層為掩膜對主動層的源極區(qū)與漏極區(qū)以及電容電極進行一退火(annealing)工藝，使源極區(qū)與漏極區(qū)的片電阻小于通道區(qū)的片電阻；形成一第二圖案化金屬層于柵絕緣層上，第二圖案化金屬層包括一數(shù)據(jù)線、一共享線、一源極電極以及一漏極電極，源極電極電性連接主動層的源極區(qū)，漏極電極電性連接主動層的漏極區(qū)，數(shù)據(jù)線電性連接源極電極，且數(shù)據(jù)線的延伸方向與掃描線的延伸方向相交，共享線電性連接電容電極；形成一保護層于柵絕緣層上，保護層覆蓋主動層、阻擋層、電容電極、源極電極、漏極電極、數(shù)據(jù)線以及共享線；形成一接觸窗于保護層中，接觸窗暴露出漏極電極；以及，形成一像素電極于保護層上，像素電極經由接觸窗電性連接至漏極電極。