[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110052295.3
• 申請(qǐng)日: 2011-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN102176098A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林武雄;陳勃學(xué);陳信學(xué);沈光仁;葉家宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一基板；

一掃描線，配置于該基板上；

一柵極，配置于該基板上且電性連接該掃描線；

一柵絕緣層，配置于該基板上且覆蓋該柵極與該掃描線；

一主動(dòng)層，配置于該柵絕緣層上且對(duì)應(yīng)位于該柵極上方，該主動(dòng)層包括一源極區(qū)、一漏極區(qū)以及位于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間的一通道區(qū)，其中該源極區(qū)與該漏極區(qū)的片電阻小于該通道區(qū)的片電阻；一阻擋層，配置于該主動(dòng)層的該通道區(qū)上，且暴露出該源極區(qū)與該漏極區(qū)；

一電容電極，配置于該柵絕緣層上；

一源極電極，位于該柵絕緣層上，且該源極電極電性連接該主動(dòng)層的該源極區(qū)；

一漏極電極，位于該柵絕緣層上，且該漏極電極電性連接該主動(dòng)層的該漏極區(qū)；

一數(shù)據(jù)線，配置于該柵絕緣層上且電性連接該源極電極，該數(shù)據(jù)線的延伸方向與該掃描線的延伸方向相交；

一共享線，配置于該柵絕緣層上且連接該電容電極；

一保護(hù)層，配置于該柵絕緣層上，該保護(hù)層覆蓋該主動(dòng)層、該阻擋層、該電容電極、該源極電極、該漏極電極、該數(shù)據(jù)線以及該共享線，且該保護(hù)層具有一接觸窗暴露出至少部分該漏極電極；以及

一像素電極，配置于該保護(hù)層上，該像素電極經(jīng)由該接觸窗電性連接至該漏極電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享線的延伸方向平行于該數(shù)據(jù)線的延伸方向。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極電極與該漏極電極覆蓋局部的該主動(dòng)層，該共享線覆蓋局部的該電容電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該主動(dòng)層覆蓋局部的該源極電極與局部的該漏極電極，該電容電極覆蓋局部的該共享線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容電極與該主動(dòng)層由同一透明材料層圖案化而成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該透明材料層包括一氧化半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該氧化半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵、氧化鋅、氧化鎘·氧化鍺或氧化鎳鈷。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該阻擋層的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅、氧化鈦、三氧化二銦、氧化銦鎵、氧化銦鎵鋅、二氧化錫、氧化鋅、氧化銦鋅、銀、三氧化鋅錫、四氧化二鋅錫或非晶硅，或上述組合所組成的群組其中之一。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該阻擋層對(duì)于波長(zhǎng)為308納米的光線的光穿透率介于2％至10％之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極區(qū)與該漏極區(qū)的片電阻為小于10⁴Ω/□，該通道區(qū)的片電阻為大于10¹²Ω/□。

11.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一第一圖案化金屬層于該基板上，該第一圖案化金屬層包括一掃描線以及一柵極，該柵極電性連接該掃描線；

形成一柵絕緣層于該基板上，該柵絕緣層覆蓋該柵極與該掃描線；

形成一圖案化半導(dǎo)體層于該柵絕緣層上，該圖案化半導(dǎo)體層包括一主動(dòng)層以及一電容電極，其中該主動(dòng)層對(duì)應(yīng)位于該柵極上方，且該主動(dòng)層包括一源極區(qū)、一漏極區(qū)以及位于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間的一通道區(qū)；

形成一阻擋層于該主動(dòng)層的該通道區(qū)上，且該阻擋層暴露出該源極區(qū)與該漏極區(qū)；

以該阻擋層為掩膜對(duì)該主動(dòng)層的該源極區(qū)與該漏極區(qū)以及該電容電極進(jìn)行一退火工藝；

形成一第二圖案化金屬層于該柵絕緣層上，該第二圖案化金屬層包括一數(shù)據(jù)線、一共享線、一源極電極以及一漏極電極，該源極電極電性連接該主動(dòng)層的該源極區(qū)，該漏極電極電性連接該主動(dòng)層的該漏極區(qū)，該數(shù)據(jù)線電性連接該源極電極，且該數(shù)據(jù)線的延伸方向與該掃描線的延伸方向相交，該共享線電性連接該電容電極；

形成一保護(hù)層于該柵絕緣層上，該保護(hù)層覆蓋該主動(dòng)層、該阻擋層、該電容電極、該源極電極、該漏極電極、該數(shù)據(jù)線以及該共享線；

形成一接觸窗于該保護(hù)層中，該接觸窗暴露出至少部分該漏極電極；以及

形成一像素電極于該保護(hù)層上，該像素電極經(jīng)由該接觸窗電性連接至該漏極電極。