[發明專利]芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半導體裝置

有效

• 申請號: 201110051582.2
• 申請日: 2011-03-01
• 公開（公告）號: CN102190975A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 大西謙司;林美希;井上剛一;宍戶雄一郎
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

技術領域

本發明涉及用于在通過焊線與引線框等被粘物電連接的半導體芯片等半導體元件上膠粘另一個半導體元件的芯片接合薄膜。另外，涉及所述芯片接合薄膜與切割薄膜層疊而成的切割/芯片接合薄膜。另外，涉及使用所述芯片接合薄膜或切割/芯片接合薄膜制造的半導體裝置。

背景技術

近年來，應對電子設備的高功能化等，半導體裝置的高密度化、高集成化的要求增強，正在推進半導體封裝的大容量高密度化。為了應對這樣的要求，研究了例如通過在半導體芯片上多步驟層疊另一個半導體芯片而實現半導體封裝的小型化、薄型化、大容量化的方法。通常，在這樣的半導體封裝中，廣泛采用使用焊線的絲焊法作為將半導體芯片與襯底電連接的方式。

在此，在安裝于襯底上的半導體芯片上芯片接合另一個半導體芯片時，需要避開該半導體芯片上的絲焊用的電極焊盤來芯片接合其它半導體芯片。因此，例如，如圖8(a)所示，采用的是使用面積比通過膠粘劑104等搭載于襯底101上的半導體芯片102小的另一個半導體芯片103，來確保利用焊線105將半導體芯片102與襯底101電連接的區域的方法(參考下述的專利文獻1的圖5)。

另外，如圖8(b)所示，在將面積與搭載于襯底101上的半導體芯片102相同程度的另一個半導體芯片103進行層疊的情況下，采用在半導體芯片102與另一個半導體芯片103之間介入面積小于半導體芯片102等的墊片106的方法(參考下述的專利文獻1的圖4)。由此，可以防止另一個半導體芯片103重疊在將半導體芯片102與襯底101電連接的焊線105上。但是，在為該方法的情況下，重新需要在半導體芯片102上設置墊片106的工序。另外，為了防止焊線105與另一個半導體芯片103的接觸，墊片106的厚度需要充分增大。結果，在該方法中存在不適合半導體裝置的薄型化的問題。

為了解決這樣的問題，公開了在利用焊線105與襯底101電連接的半導體芯片102上涂布能夠確保與另一個半導體芯片103之間具有充分距離的量的芯片接合樹脂，來形成由該芯片接合樹脂構成的固定用膠粘層，并將所述另一個半導體芯片103層疊的方法(參考專利文獻1的圖1)。但是，即使通過該方法，在固定用膠粘層上芯片接合另一個半導體芯片103時，也有時焊線105與該另一個半導體芯片103的背面接觸，從而焊線105變形或者斷裂。結果，難以保持襯底101與半導體芯片102的電連接，存在成品率下降的問題。

現在技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2001-308262號公報

發明內容

本發明鑒于所述的問題點而創立，其目的在于提供用于在利用焊線與被粘物電連接的半導體元件上膠粘另一個半導體元件的芯片接合薄膜，其能夠防止所述焊線的變形或斷裂，從而可以搭載另一個半導體元件，由此可以提高半導體裝置的制造成品率；還提供切割/芯片接合薄膜。另外，本發明的目的在于提供通過使用所述芯片接合薄膜或者切割/芯片接合薄膜而制造的、可靠性優良的半導體裝置。

本申請發明人等為了解決所述現有問題，對芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半導體裝置進行了研究。結果發現，通過使芯片接合薄膜形成為至少具有第一膠粘劑層和第二膠粘劑層的構成，可以實現所述目的，從而完成了本發明，所述第一膠粘劑層可以使焊線的一部分通過其內部，所述第二膠粘劑層防止搭載于半導體元件上的另一個半導體元件與焊線接觸。

即，本發明的芯片接合薄膜，為了解決所述課題，為用于在通過焊線與被粘物電連接的半導體元件上膠粘另一個半導體元件的芯片接合薄膜，其中，至少由第一膠粘劑層和第二膠粘劑層層疊而形成，所述第一膠粘劑層在壓接時可以將所述焊線的一部分埋沒而使其通過所述第一膠粘劑層的內部，所述第二膠粘劑層用于防止所述另一個半導體元件與焊線接觸。

根據所述構成，在將芯片接合薄膜壓接在所述半導體元件上時，所述第一膠粘劑層可以將焊線的一部分埋沒而使其通過所述第一膠粘劑層的內部，因此，沒有必要象現有半導體裝置那樣在半導體元件與另一個半導體元件之間介入面積小于該半導體元件等的墊片。另外，也沒有必要使所述另一個半導體元件的尺寸小于半導體元件來確保用于焊線用電極焊盤的區域。另外，在第一膠粘劑層上設置有用于防止所述另一個半導體元件與焊線接觸的第二膠粘劑層，因此可以防止在芯片接合所述另一個半導體元件時焊線變形或者斷裂。結果，可以良好地保持半導體元件與被粘物的電連接，可以制造可靠性優良的半導體裝置。