[發明專利]芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半導體裝置

有效

• 申請號: 201110051582.2
• 申請日: 2011-03-01
• 公開（公告）號: CN102190975A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 大西謙司;林美希;井上剛一;宍戶雄一郎
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種芯片接合薄膜，用于在通過焊線與被粘物電連接的半導體元件上膠粘另一個半導體元件，其中，

至少由第一膠粘劑層和第二膠粘劑層層疊而形成，

所述第一膠粘劑層在壓接時可以將所述焊線的一部分埋沒而使其通過所述第一膠粘劑層的內部，

所述第二膠粘劑層用于防止所述另一個半導體元件與焊線接觸。

2.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第一膠粘劑層和第二膠粘劑層各自至少由環氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂形成，

設所述環氧樹脂和酚醛樹脂的合計重量為X重量份、丙烯酸類樹脂的重量為Y重量份時，所述第一膠粘劑層的X/(X+Y)在0.5以上且0.95以下的范圍內，所述第二膠粘劑層的X/(X+Y)在0.15以上且小于0.5的范圍內。

3.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述芯片接合薄膜的總厚度在40μm～120μm的范圍內，

設所述第一膠粘劑層的厚度為d₁(μm)、第二膠粘劑層的厚度為d₂(μm)時，d₁/(d₁+d₂)在0.6以上且0.95以下的范圍內。

4.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第一膠粘劑層的熱固化前的120℃下的剪切損耗模量G”在5×10²Pa以上且1.5×10⁴Pa以下的范圍內，

所述第二膠粘劑層的熱固化前的120℃下的剪切損耗模量G”在2×10⁴Pa以上且1×10⁶Pa以下的范圍內。

5.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第一膠粘劑層中的金屬離子含量為100ppm以下。

6.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第二膠粘劑層、或者在該第二膠粘劑層上設置其它膠粘劑層時，該其它膠粘劑層中的至少任意一個中，含有染料或顏料中的至少任意一種。

7.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

所述第一膠粘劑層的玻璃化轉變溫度為20℃～60℃，所述第二膠粘劑層的玻璃化轉變溫度為60℃以下。

8.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，

熱固化后的175℃下的拉伸儲能模量在0.5MPa以上且100MPa以下的范圍內。

9.一種切割/芯片接合薄膜，其具有：

在基材上至少設置有粘合劑層的切割薄膜，和

設置在所述粘合劑層上的權利要求1所述的芯片接合薄膜。

10.由權利要求1所述的芯片接合薄膜制造的半導體裝置。

11.由權利要求9所述的切割/芯片接合薄膜制造的半導體裝置。