[發明專利]正交相二氧化錫薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201110051521.6
• 申請日: 2011-03-04
• 公開（公告）號: CN102161503A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 陳志文;王劍;杜娟;焦正;吳明紅
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: C01G19/02
• 分類號: C01G19/02
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

1.一種交相二氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于具體操作步驟如下：

????a.?制備用于脈沖激光沉積的二氧化錫靶材：①利用溶膠凝膠法制備高純的二氧化錫粉末在27±2%?SnCl₄乙醇溶液中逐滴滴加28±2%氨水使其反應均勻，反應過程中實時檢測其pH值，當pH?=?7時，結束反應，可觀測到白色溶膠產生；陳化24±0.2小時后，用乙醇、丙酮進行洗滌數次，用AgNO₃檢測濾出液，直至檢測不到Cl^-為止；所得凝膠放入真空干燥箱100℃±5℃烘干水分及洗滌劑，得塊狀樣品；研磨成粉末，制備出粒徑4±0.5納米的二氧化錫粉末；②將其粉末在0.3～0.5?GPa?壓力下制作成直徑15±2毫米，厚度4±0.2毫米圓塊；將其圓塊在1150±50℃下燒結2±0.2小時，即成為脈沖激光沉積的二氧化錫靶材；

b.?利用脈沖激光沉積方法沖擊靶材，選擇KrF激光，設置脈沖能量為350?mJ，波長248?nm，頻率10?Hz，脈沖間隔時間34納秒，每個脈沖注入量為5±0.1?J/cm²；當沉積室真空度優于1×10^?-6?mbar時，開始引入脈沖激光，打向所述靶材，控制氧分壓為3±0.1×10^?-2?Pa，將靶材沉積在硅襯底上，該襯底溫度為320±10?^oC，硅襯底距離靶材4±0.1厘米，在上述條件下得到正交相二氧化錫薄膜。

2.根據權利要求1所述的交相二氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于制得所述交相二氧化錫薄膜在室溫下進行光學性質測量，該正交相二氧化錫薄膜的透明度應優于常規的四方相二氧化錫，這種正交相二氧化錫薄膜的帶隙E_g?=?4.02?eV大于四方相二氧化錫的帶隙E_g?=?3.6?eV。