[發明專利]太陽能電池的制造方法有效
| 申請號: | 201110050999.7 | 申請日: | 2011-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN102651425A | 公開(公告)日: | 2012-08-29 |
| 發明(設計)人: | 邱彥凱;郭明錦;蔡錦堂;陳添賜;黃桂武 | 申請(專利權)人: | 昱晶能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/265 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣苗栗縣竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 | ||
技術領域
本發明是有關于一種光電裝置的制造方法,且特別是有關于一種太陽能電池的制造方法。
背景技術
傳統太陽能電池的摻雜方式為采用擴散制程,將摻質摻入基板之中以形成p-n接面,此p-n接面在受光情況下產生電子空穴對的移動,進而在基板中產生電流以達到光電轉換的目的。例如,若太陽能電池采用p型基板,在太陽能電池的擴散制程時,將p型基板置于高溫爐管中進行n型磷擴散程序,以對p型基板摻入n型摻質。
然而在高溫磷擴散制程中,會形成不必要的硅酸磷玻璃(Phospho-SilicateGlass,PSG),而且于擴散制程后,整個p型基板會被一層n型摻質所包覆,此n型摻質可能會造成太陽能電池正、負電極之間產生短路現象。為了清除基板表面不必要的硅酸磷玻璃與避免正、負電極之間發生短路現象,通常還需要透過磷玻璃去除(Phospho-Silicate?Glass?Etching,PGE)方式將磷玻璃去除,以及使用激光、等離子或化學蝕刻方式進行基板的邊緣隔絕(Edge?Isolation)程序。
由此可知,在太陽能電池的基板采用擴散制程摻入所需摻質之后,尚需額外進行,例如磷玻璃去除以及基板邊緣隔絕等復雜程序。因此,傳統太陽能電池的摻雜方式的制程上仍有改進簡化的空間,并且成為一重要課題。
發明內容
本發明的一目的在于提供一種太陽能電池制造的方法,以解決已知太陽能電池制程上較為復雜的問題。
本發明的一實施方式是在提供一種太陽能電池的制造方法,包含步驟如下:對基板的第一表面進行離子布植以形成第一摻雜層;對基板的第二表面進行離子布植以形成第二摻雜層;對基板、第一摻雜層與第二摻雜層所形成的結構執行退火程序,并通過退火程序形成第一鈍化層于第一摻雜層上與形成第二鈍化層于第二摻雜層上;于經退火程序后所形成的第一鈍化層上形成第三鈍化層;于經退火程序后所形成的第二鈍化層上形成第四鈍化層;以及分別于第三鈍化層與第四鈍化層上形成導電電極。
依據本發明一實施例,還包含于進行離子布植之前,利用蝕刻方式將基板的第一表面與第二表面作粗糙化處理。
依據本發明另一實施例,其中基板為p型基板,且第一表面是透過進行離子布植植入n型摻質,第二表面是透過進行離子布植植入p+型摻質。
依據本發明又一實施例,其中基板為n型基板,且第一表面是透過進行離子布植植入p型摻質,第二表面是透過進行離子布植植入n+型摻質。
依據本發明再一實施例,其中第三鈍化層與第四鈍化層是透過一化學氣相沉積方式形成。
本發明的另一實施方式是在提供一種太陽能電池的制造方法,包含步驟如下:對基板的第一表面進行離子布植以形成第一摻雜層;對基板的第二表面進行離子布植以形成第二摻雜層;對基板、第一摻雜層與第二摻雜層所形成的結構執行退火程序,并通過退火程序形成第一鈍化層于第一摻雜層上與形成第二鈍化層于第二摻雜層上;于經退火程序后所形成的第一鈍化層上形成第三鈍化層;以及分別于第三鈍化層與經退火程序后所形成的第二鈍化層上形成導電電極。
依據本發明一實施例,還包含于進行離子布植之前,利用蝕刻方式將基板的第一表面作粗糙化處理。
依據本發明另一實施例,其中基板為p型基板,且第一表面是透過進行離子布植植入n型摻質,第二表面是透過進行離子布植植入p+型摻質。
依據本發明又一實施例,其中基板為n型基板,且第一表面是透過進行離子布植植入p型摻質,第二表面是透過進行離子布植植入n+型摻質。
依據本發明再一實施例,其中第三鈍化層是透過一化學氣相沉積方式形成。
應用本發明的優點是在利用離子布植方式植入所需雜質,再經由退火程序活化摻入雜質后,即可完成太陽能電池基板摻雜制程。上述離子布植方式還可簡化在傳統太陽能電池基板摻雜制程中,例如,清除磷玻璃與基板邊緣隔絕的步驟,因而簡化了摻雜的制程,并于進行離子布植的退火程序與進行化學氣相沉積之后各自形成鈍化層,而能夠在較少的制程步驟下得到雙層鈍化層結構,使得整個太陽能電池的制造過程得以簡化,進而加速生產流程。
附圖說明
為讓本發明的上述和其它目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂,所附附圖的說明如下:
圖1A~圖1I是繪示依照本發明一實施方式的太陽能電池制作流程的結構示意圖;
圖2是繪示依照本發明一實施方式的太陽能電池制造方法流程圖;
圖3A~圖3H是繪示依照本發明另一實施方式的太陽能電池制作流程的結構示意圖;
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





