[發明專利]太陽能電池的制造方法

有效

• 申請號: 201110050999.7
• 申請日: 2011-02-25
• 公開（公告）號: CN102651425A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 邱彥凱;郭明錦;蔡錦堂;陳添賜;黃桂武
• 申請（專利權）人: 昱晶能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/265
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包含：

對一基板的一第一表面進行離子布植，以形成一第一摻雜層；

對該基板的一第二表面進行離子布植，以形成一第二摻雜層；

對該基板、該第一摻雜層與該第二摻雜層所形成的結構執行一退火程序，并通過該退火程序形成一第一鈍化層于該第一摻雜層上與形成一第二鈍化層于該第二摻雜層上；

形成一第三鈍化層于經該退火程序后所形成的該第一鈍化層上；

形成一第四鈍化層于經該退火程序后所形成的該第二鈍化層上；以及

分別形成導電電極于該第三鈍化層與該第四鈍化層上。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，還包含于進行離子布植之前，利用蝕刻方式將該基板的該第一表面與該第二表面作粗糙化處理。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該基板為一p型基板，且該第一表面是透過進行離子布植植入n型摻質，該第二表面是透過進行離子布植植入p+型摻質。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該基板為一n型基板，且該第一表面是透過進行離子布植植入p型摻質，該第二表面是透過進行離子布植植入n+型摻質。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該第三鈍化層與該第四鈍化層是透過一化學氣相沉積方式形成。

6.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包含：

對一基板的一第一表面進行離子布植，以形成一第一摻雜層；

對該基板的一第二表面進行離子布植，以形成一第二摻雜層；

對該基板、該第一摻雜層與該第二摻雜層所形成的結構執行一退火程序，并通過該退火程序形成一第一鈍化層于該第一摻雜層上與形成一第二鈍化層于該第二摻雜層上；

形成一第三鈍化層于經該退火程序后所形成的該第一鈍化層上；以及

分別形成導電電極于該第三鈍化層與經該退火程序后所形成的該第二鈍化層上。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，還包含于進行離子布植之前，利用蝕刻方式將該基板的該第一表面作粗糙化處理。

8.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該基板為一p型基板，且該第一表面是透過進行離子布植植入n型摻質，該第二表面是透過進行離子布植植入p+型摻質。

9.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該基板為一n型基板，且該第一表面是透過進行離子布植植入p型摻質，該第二表面是透過進行離子布植植入p+型摻質。

10.根據權利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該第三鈍化層是透過一化學氣相沉積方式形成。