[發明專利]真空處理設備和真空處理方法無效
| 申請號: | 201110050608.1 | 申請日: | 2011-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN102191480A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 佐長谷肇;渡邊直樹;徐舸 | 申請(專利權)人: | 佳能安內華股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 張濤 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 處理 設備 方法 | ||
1.一種真空處理設備,所述真空處理設備包括:
不少于一個的處理單元;
裝載鎖定室,所述裝載鎖定室比所述處理單元多一個;
托架,所述托架比所述處理單元多不少于一個;和
轉移裝置,所述轉移裝置在彼此相鄰的處理單元和裝載鎖定室之間轉移所述托架,
其中,
所述處理單元和所述裝載鎖定室交替地串聯連接,
所述裝載鎖定室至少包括在一側與所述處理單元相鄰的第一裝載鎖定室和在另一側與所述處理單元相鄰的第二裝載鎖定室,
所述托架至少包括在所述第一裝載鎖定室與所述處理單元之間往復運動的第一托架以及在所述第二裝載鎖定室與所述處理單元之間往復運動的第二托架,并且
所述轉移裝置沿著相同的方向同步地轉移所述第一托架和所述第二托架。
2.根據權利要求1所述的真空處理設備,還包括:
N個處理單元;
N+1個裝載鎖定室;和
不少于N×2個托架,
其中,所述轉移裝置同步地轉移在所述托架之中一組不少于兩個的托架。
3.根據權利要求1所述的真空處理設備,其中,如果有不少于兩個的處理單元,則所述轉移裝置沿著相同的方向同步地轉移所有的托架。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的真空處理設備,其中,所述處理單元包括多個連續的處理室。
5.一種使用根據權利要求1至3中任一項所述的真空處理設備的真空處理方法,所述方法包括:
將襯底附裝到定位在所述裝載鎖定室中的托架的附裝步驟;
將在所述附裝步驟中安裝了襯底的托架轉移到與所述裝載鎖定室相鄰的處理單元的轉移步驟;
在所述轉移步驟中轉移到所述處理單元中的托架上所安裝的襯底上執行真空處理的真空處理步驟;
在所述真空處理步驟之后將安裝有所述襯底的托架轉移到所述裝載鎖定室的第二轉移步驟;
將另一襯底附裝到位于另一裝載鎖定室中的另一托架的第二附裝步驟,所述另一裝載鎖定室在另一側與所述處理單元相鄰;和
將在所述第二附裝步驟中安裝有所述另一襯底的所述另一托架轉移到所述處理單元的第三轉移步驟,
其中,在所述真空處理步驟期間執行所述第二附裝步驟。
6.一種使用根據權利要求4所述的真空處理設備的真空處理方法,所述方法包括:
將襯底附裝到定位在所述裝載鎖定室中的托架的附裝步驟;
將在所述附裝步驟中安裝了襯底的托架轉移到與所述裝載鎖定室相鄰的第一處理室的轉移步驟;
在所述轉移步驟中轉移到所述第一處理室中的托架上所安裝的襯底上執行真空處理的真空處理步驟;
將安裝有所述襯底的托架轉移到與所述裝載鎖定室相鄰的第二處理室的第二轉移步驟,所述襯底已經在所述真空處理步驟中經受了真空處理;
在所述第二轉移步驟中轉移到所述第二處理室中的托架上所安裝的襯底上執行真空處理的第二真空處理步驟;
在所述第二真空處理步驟之后將安裝有所述襯底的托架轉移到所述第一處理室的第三轉移步驟;
將另一襯底附裝到位于另一裝載鎖定室中的另一托架的第二附裝步驟,所述另一裝載鎖定室在另一側與所述第二處理室相鄰;和
將在所述第二附裝步驟中安裝有所述另一襯底的所述另一托架轉移到所述第二處理室的第四轉移步驟,
其中,在所述第二真空處理步驟期間執行所述第二附裝步驟。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





