[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110050250.2
• 申請日: 2011-02-28
• 公開（公告）號: CN102456705A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 崔寶京;曹圭湜;文相皓;崔埈厚;柳春其;樸鮮;樸鍾賢;李律圭
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

技術領域

本發明涉及有機發光顯示裝置及其制造方法。

背景技術

有機發光顯示裝置不僅能做到輕薄，還具有視角廣、響應速度快以及電耗低等優點，因而，其作為下一代顯示裝置而受人矚目。

另外，實現出全彩(full?color)的有機發光顯示裝置采用光學共振結構，所述光學共振結構使各個波長的光學長度發生變化，所述各個波長的光學長度是從不同顏色的各個像素(例如，紅色像素、綠色像素、藍色像素)的有機發光層射出的。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光特性以及器件特性優良，且制造工序簡單的有機發光顯示裝置及其制造方法。

根據本發明一方面，本發明提供一種有機發光顯示裝置，包括：緩沖層，設置于基板上，并包括折射率不同的多個絕緣膜，所述多個絕緣膜中的至少一個在同一面上形成為不同的厚度；薄膜晶體管的活性層，形成于所述緩沖層的厚度較厚的區域；像素電極，形成于所述緩沖層的厚度較薄的區域；薄膜晶體管的柵電極、源電極以及漏電極，所述柵電極隔著柵絕緣膜形成于所述活性層上，所述源電極以及漏電極連接于所述活性層；發光層，形成于所述像素電極上；以及相對電極，隔著所述發光層，與所述像素電極相對地設置。

根據本發明的另一特征，在所述多個絕緣膜中，形成為具有不同厚度的膜可以是所述緩沖層中的最上層膜。

根據本發明的另一特征，所述緩沖層中的最上層膜氫含量相比于所述最上層膜的下部膜低。

根據本發明的另一特征，所述活性層包括多晶硅，所述緩沖層中的最上層膜的下部膜，填充至所述多晶硅的缺陷位置，從而可以矯正缺陷。

根據本發明的另一特征，所述緩沖層中的最上層膜以及所述最上層膜的下部膜，分別可以是氧化硅以及氮化硅。

根據本發明的另一特征，所述緩沖層中厚度較厚的區域的截面形狀，與所述活性層的蝕刻面的截面可以相同。

根據本發明的另一特征，所述多個絕緣膜中，相互鄰近的膜的折射率可以不同。

根據本發明的另一特征，所述柵絕緣膜可以包括多個折射率不同的膜。

根據本發明的另一特征，在所述柵絕緣膜的多個膜可以為，接觸所述活性層的膜的氫含量相比不接觸所述活性層的膜低。

根據本發明的另一特征，所述活性層包括多晶硅，不接觸于所述活性層的膜填充至所述多晶硅的缺陷位置，從而可以矯正所述缺陷。

根據本發明的另一特征，在所述柵絕緣膜的多個膜中，接觸所述活性層的膜以及不接觸所述活性層的膜分別可以是氧化硅以及氮化硅。

根據本發明的另一特征，所述像素電極可以為透明電極，所述相對電極可以為反射電極。

根據本發明的另一特征，還可包括電容器的下部電極和電容器的上部電極。所述下部電極形成于與所述活性層相同的層中，所述緩沖層的厚度較厚的區域，所述上部電極形成于與所述柵電極相同的層。

根據本發明的另一特征，所述下部電極的端部，與所述緩沖層的厚度厚的區域的端部的蝕刻面形狀可以相同。

根據本發明的另一特征，所述下部電極包括多晶硅，所述柵絕緣膜的多個膜可以為，接觸所述下部電極的膜的氫含量，相比不接觸于所述下部電極的其他膜低。

根據本發明的另一特征，接觸于所述下部電極的膜以及不接觸于所述下部電極的膜，分別可以是氧化硅以及氮化硅。

根據本發明另一方面，本發明提供一種有機發光顯示裝置的制造方法，包括：在基板上形成緩沖層，所述緩沖層包括折射率不同的多個絕緣膜；在所述緩沖層上形成半導體層之后圖案化所述半導體層，從而形成活性層，所述緩沖層被形成為：形成有所述活性層的區域相比于未形成有所述活性層的區域，厚度還厚；形成柵絕緣膜以覆蓋所述活性層，在所述柵絕緣膜上的所述緩沖層厚度薄的區域中形成像素電極，隔著所述柵絕緣膜，在所述活性層上形成柵電極；形成層間絕緣膜，在所述層間絕緣膜上形成開口，以露出部分所述活性層以及部分像素電極；形成連接于所述活性層的源電極以及漏電極；以及形成覆蓋所述源電極以及所述漏電極且具有開口的像素定義膜，所述開口露出所述像素電極。

根據本發明的其他特征，在所述基板上形成包括多個折射率不同的絕緣膜的緩沖層時，所述緩沖層中的最上層膜可以形成為比其他膜厚。

根據本發明的另一其他特征，可將所述緩沖層中的最上層膜，在同一面上形成為不同的厚度。

根據本發明的另一其他特征，以所述活性層作為遮蓋掩模，可以將緩沖層蝕刻成具有不同的厚度。

根據本發明的另一其他特征，形成所述活性層時，可伴隨著進行非晶硅的結晶化工序。