[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110050250.2
• 申請日: 2011-02-28
• 公開（公告）號: CN102456705A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 崔寶京;曹圭湜;文相皓;崔埈厚;柳春其;樸鮮;樸鍾賢;李律圭
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種有機發光顯示裝置，包括：

緩沖層，設置于基板上，并包括折射率不同的多個絕緣膜，所述多個絕緣膜中的至少一個在同一面上形成為不同的厚度；

薄膜晶體管的活性層，形成于所述緩沖層的厚度較厚的區域；

像素電極，形成于所述緩沖層的厚度較薄的區域；

薄膜晶體管的柵電極、源電極以及漏電極，所述柵電極隔著柵絕緣膜形成于所述活性層上，所述源電極以及漏電極連接于所述活性層；

發光層，形成于所述像素電極上；以及

相對電極，隔著所述發光層，與所述像素電極相對地設置。

2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，

在所述多個絕緣膜中，形成為具有不同厚度的膜是所述緩沖層中的最上層膜。

3.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述緩沖層中的最上層膜的氫含量，相比所述最上層膜的下部膜低。

4.根據權利要求3所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述活性層包括多晶硅，

所述緩沖層中的最上層膜的下部膜，填充至所述多晶硅的缺陷位置，以矯正所述缺陷。

5.根據權利要求3所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述緩沖層中的最上層膜以及所述最上層膜的下部膜，分別是氧化硅以及氮化硅。

6.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述緩沖層中厚度較厚的區域的端部形狀，與所述活性層的蝕刻面的端部形狀相同。

7.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述多個絕緣膜中相互鄰近的膜的折射率不同。

8.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述柵絕緣膜包括多個折射率不同的膜。

9.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置，其中，

在所述柵絕緣膜的多個膜中，接觸于所述活性層的膜的氫含量，相比不接觸于所述活性層的膜低。

10.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述活性層包括多晶硅，

不接觸于所述活性層的膜填充至所述多晶硅的缺陷位置，以矯正所述缺陷。

11.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置，其中，

在所述柵絕緣膜的多個膜中，接觸所述活性層的膜以及不接觸所述活性層的膜分別是氧化硅以及氮化硅。

12.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述像素電極為透明電極，所述相對電極為反射電極。

13.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，還包括：

電容器的下部電極，形成于與所述活性層相同的層中所述緩沖層的厚度較厚的區域；以及

電容器的上部電極，形成于與所述柵電極相同的層。

14.根據權利要求13所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述下部電極的端部，與所述緩沖層的厚度較厚的區域的端部的蝕刻面形狀相同。

15.根據權利要求13所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述下部電極包括多晶硅，所述柵絕緣膜的多個膜中，接觸于所述下部電極的膜的氫含量，相比不接觸于所述下部電極的其他膜低。

16.根據權利要求15所述的有機發光顯示裝置，其中，

接觸于所述下部電極的膜以及不接觸于所述下部電極的膜，分別是氧化硅以及氮化硅。