[發(fā)明專利]一種高壓LDMOS器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110050222.0
• 申請日: 2011-03-02
• 公開（公告）號: CN102157560A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方健;陳呂赟;管超;王澤華;吳瓊樂;柏文斌;楊毓俊;黎俐
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 周永宏

1.一種高壓LDMOS器件，包括襯底(1)、位于襯底(1)之上的外延層(2)，位于外延層(2)之上靠漏區(qū)(4)一側(cè)且下表面與外延層(2)的下表面重合的漂移區(qū)(3)，位于LDMOS器件兩端的漏區(qū)(4)和源區(qū)(6)，其特征在于，在襯底(1)和外延層(2)的交界面上跨過外延層(2)的下表面具有交替排列的至少一對n型半導體區(qū)(10)和p型半導體區(qū)(11)，n型半導體區(qū)(10)和p型半導體區(qū)(11)的交接面與所述功率器件工作時的表面電壓降方向平行，所述n型半導體區(qū)(10)和p型半導體區(qū)(11)緊貼排列相互形成PN結(jié)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述高壓LDMOS器件為P外延的N溝道LDMOS器件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述n型半導體區(qū)(10)和p型半導體區(qū)(11)的長度可以縮短至漏區(qū)(4)向中心一側(cè)與漂移區(qū)(3)的交界面處。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述n型半導體區(qū)(10)和p型半導體區(qū)(11)的長度縮短至不與漂移區(qū)(3)向源區(qū)(6)一側(cè)與外延層(2)的交界面相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，在漂移區(qū)(3)的上表面添加頂埋層(12)，所述頂埋層(12)的摻雜特性與漂移區(qū)(3)相反。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述高壓LDMOS器件為N外延的N溝道LDMOS器件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述n型半導體區(qū)(10)和p型半導體區(qū)(11)的長度可以縮短至漏區(qū)(4)向中心一側(cè)與漂移區(qū)(3)的交界面處。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，所述n型半導體區(qū)(10)和p型半導體區(qū)(11)的長度縮短至源區(qū)(6)向中心一側(cè)與阱區(qū)(5)的交界面處。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種高壓LDMOS器件，其特征在于，在漂移區(qū)(3)的上表面添加頂埋層(12)，所述頂埋層(12)的摻雜特性與漂移區(qū)(3)相反。